退火爐是用于制造半導體元件的制程方法。該制程包括加熱多個半導體晶片以影響其電性能。熱處理旨在達到不同的效果。可以加熱晶片以激活摻雜劑，使沉積的膜至密化，并改變生長的膜的狀態。暴露在高溫下可以修復損壞。該過程稱為退火。 爐子退火可以集成到其他爐子處理步驟中，例如氧化，也可以單獨處理。
退火爐技術參數
| 應用領域 | 腔體 |
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| 配置和優點 | 選件 |
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