產品介紹：感應耦合等離子（ICP）刻蝕及沉積、深反應離子刻蝕（DRIE）及低溫等離子體增強化學氣相沉積（PEVCD）

BM8-III 感應耦合等離子（ICP）刻蝕及沉積系統

高性能深反應離子刻蝕（DRIE）及低溫等離子體增強化學氣相沉積（PEVCD）等離子處理系統

BM8-III感應耦合等離子（ICP）處理系統是一款全新定義深反應離子刻蝕（DRIE）及低溫低損傷 等離子體增強化學氣相沉積（PEVCD）等離子處理新概念的等離子處理系統。

該感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統基于模塊化設計制造，采用一款通用的真空處理艙及機柜。等離子處理系統采用感應耦合等離子（ICP）電極及底部沉積電極模塊化設計理念，方便整體感應耦合等離子（ICP）刻蝕及沉積系統的組裝及配置。

該感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統帶給用戶方便操作，提供多種等離子處理工藝、方便維護及性價比高的系統比業內其它感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統更具競爭力。

感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統主要性能簡介

等離子工藝處理的研發需要多功能且可靠的等離子處理設備。為了滿足等離子研究日新月異的要求，用戶選購的系統設備滿足zui大范圍的等離子工藝參數需要、工藝驗證需要極其高的可重復性、必須方便改造用于新的等離子工藝需要。我們相信BM8-III感應耦合等離子（ICP）蝕刻/沉積等離子系統滿足這些非常苛刻的要求。

BM8-III是一款用于研究、工藝開發及其小批量生產的感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統工具，用于zui大八英寸（203mm）基片的精密等離子刻蝕及沉積。該感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統也可以容納處理多塊晶圓片。

在設計BM8-III感應耦合等離子（ICP）蝕刻/沉積等離子系統之初，主導指示就是創造一款融合高質量、可靠、重復性及其用于生產系統的工藝控制能力為一體的等離子系統；同時*的降低主機成本、維護成本及占地面積小等要求。

BM8-III感應耦合等離子（ICP）處理系統具有*的機體結構和電極設計，方便安裝在層流模塊中或是超凈間。感應耦合等離子（ICP）處理系統的建造采用高質量認可的部件、模塊化裝配、多功能真空艙體及其電極設計、結構緊湊、自動化及業內認可工藝程序使得BM8-III感應耦合等離子（ICP）處理系統成為工藝工程師*干法設備。

感應耦合等離子（ICP）處理系統特性

• 一體式真空艙體構造

• 1000W@13.56MHz，射頻感應耦合等離子（ICP）電源

• 600W@13.56 MHz 射頻 偏壓電源

• Auto RF matching 自動射頻匹配器

• 下游壓力控制

• 基于Windows操作系統軟件的電腦控制

• 多款真空泵浦系統選配：機械泵及渦輪增壓泵浦用于蝕刻；機械泵浦配備羅茨風機用于沉積；

• 業內認可的部件

• 認證的工藝程序

• 終點探測檢測（選配）

感應耦合等離子（ICP）處理系統應用

•  深反應離子刻蝕（DRIE）

• 低損傷高速蝕刻速率

• 亞微米級蝕刻

• SiO2 及 Si3N4的低溫、低損傷等離子體增強化學氣相沉積（PEVCD）

• 聚酰亞胺蝕刻、鈍化層蝕刻（Polyimide etching 、Passivation etching）

• 碳納米管沉積

感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統應用

基于感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積系統建造的高質量處理模塊，BM8-III滿足廣泛的等離子處理工藝條件，無論是復雜的亞微米級反應離子刻蝕 （RIE）還是低溫下的高質等離子體增強化學氣相沉積PEVCD薄膜的沉積。

基與眾多客戶群的緊密協作，我們開發出業內認可的工藝程序，保證系統滿足用戶所需。用于生產制造的系統設備均采用zui高質量的部件，保證我們的系統提供zui大可能的正常運行時間、 可靠性、重復性及耐用性。

感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統技術規格

BM8-III感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統的廣泛使用得益于其高性價比、多功能設計模塊、提供其他同類感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統沒有的工藝優勢。這些包括層流安裝、安裝占地面積小，多款電極配置，及其zui大可滿足8英寸基片處理等。

感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統基本模塊

BM8-III感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統的基本部件包括一款基于Windows的PC控制器及其菜單存儲、數碼質量流量控制的四路通道控制（zui大可擴展至六通道）、溫度補償式電容壓力計用于測量工藝真空度、100毫米真空通道用于zui大工藝氣體電導、KF或ISO標準管件便于維護；及其它工藝及服務特性。工藝氣體導管未不銹鋼操作，配備VCE連接件。

感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統真空處理艙

BM8-III感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統的真空處理艙采用整塊陽極氧化鋁合金建造成一體式設計。感應耦合等離子（ICP）刻蝕、等離子體增強化學氣相沉積（PEVCD）系統均采用同樣的真空處理艙設計。真空處理艙上部部包括一個感應耦合等離子（ICP）線圈及陶瓷窗；真空艙下部包括基片電極，真空泵浦接口及氣體必要的真空閥及其真空監控設備。自動升降臺抬舉真空艙上部便于接近底部電極。

感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統電極配置

感應耦合等離子（ICP）線圈及陶瓷窗同樣用于感應耦合等離子（ICP）蝕刻機沉積系統之中。

感應耦合等離子（ICP）蝕刻電極特別為低真空范圍的*等離子性能設計。

不銹鋼材質底部電極通過可選配冷卻循環器來控制溫度。感應耦合等離子（ICP）線圈陽極采用暗區屏障設計，使等離子在兩塊電極之間產生。

感應耦合等離子（ ICP）及等離子體增強化學氣相沉積（ PECVD） 底部電極采用類似的設計，電極zui大可耐400℃高溫。

感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統電源

1000W@13.56MHz射頻電源給電感應耦合等離子（ICP）線圈，在低等離子電位下產生等離子密度高達5 x 1011 eV/cm3（氬氣等離子），而第二套600W@13.56MHz 射頻電源給電基片電極產生射頻偏壓。所有的電源采用固態、風冷式，配備自動匹配器。這樣離子能量及離子密度可以分別控制。感應耦合等離子（ICP）線圈位于真空艙外部，由陶瓷窗隔離；感應耦合等離子（ICP）線圈處于大氣壓下，而非等離子產生環境中。

感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統工藝處理真空泵浦

根據用戶的工藝需要，BM8-III感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統配備機械泵、機械泵及渦輪分子泵，或是帶魯氏鼓風機的機械泵。也可根據所需真空處理級別配備不同尺寸大小的真空泵浦。

感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統壓力控制

下游壓力控制提供了更加精密的工藝控制。閉環式壓力控制系統集成在真空處理艙和工藝處理真空泵浦之間。該控制系統包括一套100mm伺服電磁閥及壓力控制器與位于真空處理艙內的電容壓力計相連接；提供了工藝壓力控制的*自動化控制。

感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統控制器

控制器采用電腦控制整個系統。基于Windows的控制軟件采用多屏幕顯示系統設備控制、數據記錄、稱呼設定及存儲，系統連鎖應需配備。

感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統可在自動或手動模式下運行。

感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統選配件

為了增強系統的工藝處理能力，BM8-III感應耦合等離子（ICP）系統提供廣泛的工藝處理選項，包括終點檢測、水冷器（用于冷卻電極）、油霧分離器及吹掃系統、下周壓力控制、硬質陽極氧化真空艙。工藝廢氣處理系統也可提供。

感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統外觀尺寸

寬: 118cm

深: 95cm

機柜高度:  91cm

整機高度: 137cm

重量: 約227公斤

感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統安裝條件

感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統主機 220V, 50/60Hz, 20A

感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統真空泵浦: 220V, 60Hz, 10 Amps （*機械真空泵浦） 220V, 50Hz, 5 Amps

冷卻水:用于電極冷卻5.5L/min （20℃）

大氣: 用于電磁閥控制 （0.55MPa）

氮氣：N2: 0.1~0.14MPa （用于真空處理艙吹掃））

氣源: 等離子處理工藝氣體, VCR 管件

如果您對GIK感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統感興趣，請索取更詳盡資料！
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