1.設備用途：磁控濺射設備 1是一種超高真空多靶磁控濺射沉積鍍膜實驗平臺，用磁控濺射的方法制備孤立分散的量子點和納米晶顆粒等薄膜、半導體薄膜、氧化物薄膜及Fe和Cu等金屬薄膜。該設備可以根據工藝的需要選擇單靶獨立工作、四靶輪流工作或四靶任意組合共濺等工作模式。該設備由主腔室和預備室兩個真空室組成。主腔室用于鍍制薄膜，完成用戶主要鍍膜工藝過程。預備室通過高真空插板閥與主腔室相連，可以用于鍍膜前基片與鍍膜后薄膜的等離子清洗，并可以在不破壞主腔室真空的條件下更換基片。

2. 靶、基片及加熱材料

磁控濺射設備 1可以采用單靶獨立工作或四只靶輪流工作、任意兩靶組合共濺、三靶組合共濺等工作模式，向心濺射，射頻直流兼容。

所有靶面均可以沿軸向電動位移，所有靶上都帶有電動檔板，以防止靶面在未工作時被污染。

3. 基片有效鍍膜直經：可達4吋，整個基片上的薄膜厚度不均勻度≤5﹪，基片架采用框式結構，樣品交接容易，基片架不變形，鍍膜時基片轉動，旋轉速度5～60轉/分可調，鍍膜均勻。基片有擋板，防止污染。樣品加熱溫度：常溫～1000○C可調, 常溫～1400○C可調, 常溫～1700○C可調。

該設備配有基片擋板，以防止束源未穩定工作時污染基片。樣品架在鍍膜時旋轉，基片上薄膜生長均勻，其整個基片上的薄膜厚度不均勻度≤3﹪。