高真空蒸發(fā)鍍膜 2是在高真空條件下，通過加熱材料的方法，在襯底上沉積各種化合物、混合物單層或多層膜，主要用于有機(jī)半導(dǎo)體材料的物理化學(xué)性能研究實(shí)驗(yàn)、有機(jī)半導(dǎo)體器件的原理研究實(shí)驗(yàn)OLED實(shí)驗(yàn)研究。

　　設(shè)備特點(diǎn)：

　　1. 高真空蒸發(fā)鍍膜 2超高真空密封主要采用如下技術(shù)：玻璃金屬焊接技術(shù)、陶瓷金屬焊接技術(shù)、刀口無氧銅金屬密封技術(shù)等，整機(jī)主要采用金屬密封技術(shù)，前開門用氟膠圈，真空管路用不銹鋼金屬波紋管路，采用超高真空閥門。

　　2. 運(yùn)動(dòng)部件的密封，采用磁力耦合動(dòng)密封技術(shù)。

　　2. 旋轉(zhuǎn)部件的密封，采用磁流體密封技術(shù)。

　　4. 基片加熱器采用進(jìn)口鎧裝加熱絲結(jié)構(gòu)。

　　5. 蒸發(fā)舟配磁力耦合擋板，基片配磁力耦合擋板，保證鍍膜的可控性。

　　6.極限真空 5×10-5P

　　7.基片加熱600℃可以調(diào)控，控制精度±1℃。

　　8.膜厚測試采用膜厚儀。