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Quattro 環(huán)境掃描電子顯微鏡

具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

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北京歐波同光學(xué)技術(shù)有限公司成立于2003年,是一家材料分析數(shù)字化解決方案服務(wù)商。旗下?lián)碛锌茖W(xué)儀器、智慧實(shí)驗(yàn)室、第三方檢測、技術(shù)服務(wù)等業(yè)務(wù)板塊。歐波同堅(jiān)持“讓實(shí)驗(yàn)更簡單”的發(fā)展主線,充分掌握計(jì)算機(jī)視覺和圖像識別技術(shù),實(shí)現(xiàn)AI技術(shù)和工業(yè)分析技術(shù)的跨界融合,幫助中國企業(yè)在競爭中取得成功。為世界材料分析貢獻(xiàn)中國力量!


北京歐波同光學(xué)技術(shù)有限公司(OPTON)-主營進(jìn)口掃描電子顯微鏡、雙束聚焦離子束顯微鏡、賽默飛掃描電鏡、場發(fā)射掃描電鏡、聚焦離子束電鏡、賽默飛雙束電鏡、FEI掃描電鏡、FIB掃描電鏡、FIB雙束電鏡、TEM透射電鏡、球差電鏡、氬離子拋光測試及制樣設(shè)備中國區(qū)授權(quán)代理商








電鏡,SEM,掃描電鏡,F(xiàn)IB雙束電鏡,環(huán)境掃描電鏡,TEM透射電鏡,掃描電鏡附件,離子濺射儀

產(chǎn)地類別 進(jìn)口 價格區(qū)間 面議
儀器種類 場發(fā)射 應(yīng)用領(lǐng)域 化工,石油

Quattro SEM環(huán)境掃描電子顯微鏡為具有*環(huán)境真空功能的靈活、多功能高分辨率掃描電鏡,可以將成像和分析全面性能與環(huán)境模式(ESEM)相結(jié)合,使得樣品研究得以在自然狀態(tài)下進(jìn)行。


Quattro的場發(fā)射電子槍(FEG)確保了優(yōu)異的分辨率,通過不同的探測器選項(xiàng),可以調(diào)節(jié)不同襯度信息,包括定向背散射、STEM和陰極熒光信息。來自多個多個探測器和探測器區(qū)分的圖像可以同步采集和顯示,使得單次掃描即可獲得樣品信息,從而降低電子束敏感樣品的束曝光并實(shí)現(xiàn)真正額動態(tài)試驗(yàn)。Quattro的三種真空模式使得系統(tǒng)具有靈活性,可以容納廣泛的樣品類型,無論樣品導(dǎo)電、絕緣、潮濕或是在高溫條件下,均可獲得可靠的分析結(jié)果。Quattro*的硬件有用戶向?qū)еС郑粌H可以指導(dǎo)操作者,還可以直接進(jìn)行交換,輕松縮短結(jié)果獲取時間。


金屬及合金、斷口、焊點(diǎn)、拋光斷面、磁性及超導(dǎo)材料
陶瓷、復(fù)合材料、塑料
薄膜/涂層
地質(zhì)樣品斷面、礦物
軟材料:聚合物、藥物、濾膜、凝膠、生物組織、植物材料
顆粒、多孔材料、纖維
水合/脫水/濕潤/接觸角分析
結(jié)晶/相變
氧化/催化
材料生成
拉伸(伴隨加熱或冷卻)


發(fā)射源:高穩(wěn)定型肖特基場發(fā)射電子槍

分辨率:

型號

Quattro C

Quattro S

高真空

30kV(SE)

1.0nm

1kV(SE)

3.0nm

低真空

30kV(SE)

1.3nm

3kV(SE)

3.0nm

30kV(BSE)

2.5nm

環(huán)境掃描模式

30kV(SE)

1.3nm


放大倍率:6 ~ 2,500,000×
加速電壓范圍:200V ~ 30kV
探針電流范圍:1pA – 200nA,連續(xù)可調(diào)
X-Ray工作距離:10mm,EDS檢出角35°
樣品室:從左至右為340mm寬的大存儲空間,樣品室可拓展接口數(shù)量12個,含能譜儀接口3個(其中2個處于180°對角位置)


樣品臺和樣品:


探測器系統(tǒng):

同步檢測多達(dá)四種信號,包括

樣品室高真空二次電子探測器ETD
低真空二次電子探測器LVD
氣體SED(GSED,用于環(huán)境掃描模式)
樣品室內(nèi)IR-CCD紅外相機(jī)(觀察樣品臺高度)
可用于樣品導(dǎo)航的彩色光學(xué)相機(jī)Nav-Cam™


控制系統(tǒng):
操作系統(tǒng):64為GUI(Windows10)、鍵盤、光學(xué)鼠標(biāo)
圖像顯示:24寸LCD顯示器,WUXGA 1920×1200
定制化的圖像用戶界面,可同時激活多達(dá)4個視圖
導(dǎo)航蒙太奇
軟件支持Undo和Redo功能


Quattro SEM環(huán)境掃描電子顯微鏡特點(diǎn)與用途:

    在自然狀態(tài)下對材料進(jìn)行預(yù)案為研究,具有環(huán)境真空模式(ESEM)的*高分辨率場發(fā)射掃描電鏡;

    縮短樣品制備時間:低真空和環(huán)境真空技術(shù)可針對不導(dǎo)電和/或含水樣品直接成像和分析,樣品表面無荷電累積;
    在各種操作模式下分析導(dǎo)電和不導(dǎo)電樣品,同步獲取二次電子像和背散射電子像;
    優(yōu)良的分析性能,樣品倉可同時安裝3三個EDS探測器,其中2個EDS端口分開180°、WDS和共勉EDS/EBSD;
    針對不導(dǎo)電樣品的分析性能:憑借“壓差真空系統(tǒng)”實(shí)現(xiàn)低真空模式下的EDS和EBSD分析;
    靈活、準(zhǔn)確的優(yōu)中心樣品臺,105°傾斜角度范圍,可多方位觀察樣品;
    軟件直觀、簡便易用,并配置用戶向?qū)Ъ癠ndo(撤銷)功能,操作步驟減少,分析更快速;
     創(chuàng)新選項(xiàng),包括可伸縮RGB陰極熒光(CL)探測器、1100℃高真空熱臺和AutoScript。




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