| 應用領域 | 醫療衛生,環保,食品,石油,電子 |
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特性
- 70mm2有效面積準直到50mm2
- 123ev FWHM @5.9keV
- 計數率>2,000,000cps
- 高峰背比-26000:1
- 前置放大器上升時間<60ns
- 窗口：Be(0.5mil) 12.5um或C2(Si3N4)
- 抗輻射
- 探頭晶體厚度500um
- TO-8封裝
- 制冷ΔT >85K
- 內置多層準直器
應用
- 超快臺式和手持XRF光譜儀
- SEM中EDS系統的樣品掃描或測繪樣品
- 在線過程控制
- X射線分揀機
- OEM
通用 | |
探頭類型 | 硅漂移探頭（SDD） |
探頭大小 | 70mm2準直到50mm2 |
硅晶體厚度 | 500um |
5.9keV處55Fe能量分辨率 | 峰化時間4us時，分辨率為123-135eV |
峰背比 | >20000:1（5.9keV與1keV計數比） |
探頭窗口 | Be:0.5mil(12.5um)或C2（Si3N4） |
準直器 | 內部多層準直器 |
電荷靈敏前置放大器 | CMOS |
增益穩定性 | <20ppm/℃ |
外殼尺寸 XR-100FastSDD-70 | 3.00 x 1.75 x 1.13 in (7.6 x 4.4 x 2.9 cm) |
重量 XR-100FastSDD-70 | 4.4盎司（125g） |
總功率 XR-100FastSDD-70 | <2W |
質保期 | 1年 |
使用壽命 | 取決于實際使用情況，一般5-10年 |
倉儲和物流 | *存放：干燥環境下10年以上 倉儲和物流：-40℃到+85℃，10%到90%濕度，無凝結 |
工作條件 | -35℃到+80℃ |
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