透射電鏡三維重構(gòu)樣品桿
- 公司名稱 廈門超新芯科技有限公司
- 品牌 CHIPNOVA
- 型號
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時間 2023/12/27 9:56:39
- 訪問次數(shù) 5355
聯(lián)系方式:邱惠新13174606676 查看聯(lián)系方式
聯(lián)系我們時請說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!
分辨率 | 電鏡極限分辨率 |
---|
CHIPNOVA Single-tilt Tomography Holders(三維重構(gòu)樣品桿)通過一系列不同傾斜角獲得樣品的二維平面成像信息,使用軟件處理后可獲得三維立體成像信息。直接使用3mm銅網(wǎng)樣品進行觀察,支持掃描透射模式下的高角環(huán)形暗場成像(HAADF-STEM)高分辨分析。
我們的優(yōu)勢
創(chuàng)新設(shè)計,提高實驗效率
1.雙邊緊固銅網(wǎng)方式,漂移率低,樣品易組裝。
2.中心對稱設(shè)計,避免樣品桿傾斜過程中重心偏移,提供迅速穩(wěn)定的層析成像。
優(yōu)異性能,Excellent體驗
1.大于±75°的高傾斜角,保證視野zui da hua。
2.高強度鈦合金材質(zhì),高精度加工,經(jīng)久耐用。
技術(shù)參數(shù)
類別 | 項目 | 參數(shù) |
基本參數(shù) | 桿體材質(zhì) | 高強度鈦合金 |
漂移率 | <0.5 nm/min(穩(wěn)定狀態(tài)) | |
分辨率 | 電鏡極限分辨率 | |
(HR)TEM/STEM | 支持 | |
(HR)EDS/EELS/SAED | 支持 |
應(yīng)用案例
電子斷層掃描對納米尺度地質(zhì)材料的三維分析
參考文獻來源:Three-dimensional Analyses of Geological Materials on Nanoscale by Electron Tomography[J]. Atomic Spectroscopy, 2022.
ET示意圖。不同傾斜角度下的一系列TEM圖像的獲取(a)和從獲得的傾斜系列中重建樣本的3D結(jié)構(gòu)(b)。
(a)使用FIB制備的黃鐵礦柱狀樣品的HAADF-STEM圖和(b)STEM-EDS圖;以及從-63°到+70°以0.5°間隔獲得的不同傾斜角的3D重建結(jié)果(c-f)。
(a-d)分別是在-44°、0°、+44°和+66°處獲取的原始HAADF-STEM傾斜角度圖像;(e-g)是從-44°到+66°以2°間隔獲得重建的3D模型圖。
獲取EELS譜圖用于3D視圖的元素和氧化態(tài)的重建模型