CVD系統 由供氣系統+雙管管式爐+抽氣系統 ，最高溫度可以達到1200度,可以是單溫區、雙溫區、三溫區等，極限真空可以達到10-3Pa，供氣系統是流量調節可以是質子流量計或浮子流量計，混氣路數可以是2路、3路、4路、5路相混合。

這款CVD系統是由3路供氣系統+TL1200雙管管式爐+低真空系統組成

單溫區四通道可調真空快速升溫雙管爐是一種特殊的CVD系統，是專門為在金屬箔（像銅箔、鋁箔等）上生長薄膜而設計，廣泛應用在新一代能源關于柔性金屬箔電極方面的研究上，特別適用于碳納米管、碳納米線、石墨烯的生長。這款雙管式爐以進口電阻絲康泰爾（Canthal）為加熱元件，采用雙層殼體結構和宇電控溫儀表，能進行30段程序控溫，移相觸發、可控硅控制，爐膛采用日本進口氧化鋁多晶纖維材料，具有溫場均衡、表面溫度低、節能等優點。

單溫區四通道可調真空快速升溫雙管爐爐底安裝一對滑軌，可用手推滑動。加熱和冷卻速率最大可達100°C/min。為取得最快加熱，可以預先加熱爐子到設定的溫度，然后移動爐子到樣品位置。為獲得最快冷卻，可在樣品加熱后移動爐子到另一端。加熱和冷卻速率在真空或者惰性氣體環境下可以達到10°C/s，是低成本快速熱處理的理想爐子。