美國 2D/3D可牽張拉伸微電極陣列刺激與記錄系統

機械力刺激

電刺激記錄

高分辨率成像三合一

美國bm廠家的3D微電極陣列將推進基于類器官的神經和神經退行性疾病模型

3D 貼合微電極陣列，用于記錄生理上完整的腦類器官的電信號。 BMSEED 的新技術將使研究人員能夠準確評估這些結構的健康狀況和功能，以推進眾多領域的藥物測試和組織工程。
大腦類器官使用人體細胞來復制大腦的 3 維結構。 與動物模型和 2D 細胞培養物相比，它們可用作在更接近人體的環境中研究神經和神經退行性腦疾病的有效模型。 然而，它們的功效已被用于記錄大腦類器官電信號的方法的限制所扼殺。

傳統到的商業微電極陣列是扁平的，因此它們只能記錄球形類器官表面積的一小部分，而BM的 3D 微電極陣列大限度地與類器官表面接觸，以收集比以前更多的神經信號。

電生理模塊：細胞電刺激、電生理活動記錄、阻抗測量

★細胞力-電耦合靈活：

拉伸前中后進行電刺激以及電生理活動記錄分析

★拉伸前后電生理活動的比較（標準化）

★拉伸前中后阻抗定量測量：

可選頻率、時間、電壓，實時圖形化測量，方便的cvs測量結果導出

該細胞或組織可拉伸微電極陣列刺激、電生理活動記錄、高分辨率成像系統*之處在于它結合了細胞或組織培養的三種相互作用模式機械、光學和電學， 使研究人員能夠可重復且可靠地研究生理和病理機械拉伸對生物組織電生理的影響。

該系統集成：

體外細胞拉伸、電生理、成像三合一系統

模塊化力、電生理、成像三合一集成

拉伸：應變率≤80/s，應變≤50%

多通道微電極：2x60

高分辨率活細胞成像：2MP分辨率下每秒高達2000幀