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LPCVD設(shè)備 PC-007 LPCVD設(shè)備
- 公司名稱(chēng) 鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào) LPCVD設(shè)備 PC-007
- 產(chǎn)地
- 廠(chǎng)商性質(zhì) 生產(chǎn)廠(chǎng)家
- 更新時(shí)間 2022/11/2 8:39:31
- 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù) 359
LPCVD設(shè)備廠(chǎng)家化學(xué)氣相沉積CVD廠(chǎng)家LPCVD設(shè)備報(bào)價(jià)LPCVD設(shè)備生產(chǎn)廠(chǎng)家半導(dǎo)體專(zhuān)用檢測(cè)儀器
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鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)：鵬城半導(dǎo)體），由哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）與有多年實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的工程師團(tuán)隊(duì)共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術(shù)前沿與市場(chǎng)前沿的交叉點(diǎn)，尋求創(chuàng)新yin/ling與可持續(xù)發(fā)展，解決產(chǎn)業(yè)的痛點(diǎn)和國(guó)產(chǎn)化難題，爭(zhēng)取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。
公司核心業(yè)務(wù)是微納技術(shù)與gao duan精密制造，具體應(yīng)用領(lǐng)域包括半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體工藝和半導(dǎo)體裝備的研發(fā)設(shè)計(jì)和生產(chǎn)制造。
公司人才團(tuán)隊(duì)知識(shí)結(jié)構(gòu)完整，有以哈工大教授和博士為核心的高水平材料研究和工藝研究團(tuán)隊(duì)；還有來(lái)自工業(yè)界的高級(jí)裝備設(shè)計(jì)師團(tuán)隊(duì)，他們具有20多年的半導(dǎo)體材料研究、外延技術(shù)研究和半導(dǎo)體薄膜制備成套裝備設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造的經(jīng)驗(yàn)。
公司依托于哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳），具備*的半導(dǎo)體研發(fā)設(shè)備平臺(tái)和檢測(cè)設(shè)備平臺(tái)，可以在高起點(diǎn)開(kāi)展科研工作。公司總部位于深圳市，具備半導(dǎo)體裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、調(diào)試以及半導(dǎo)體材料與器件的中試、生產(chǎn)、銷(xiāo)售的能力。
半導(dǎo)體材料,工藝和裝備的研發(fā)設(shè)計(jì),生產(chǎn)制造
LPCVD設(shè)備是在低壓高溫的條件下，通過(guò)化學(xué)反應(yīng)氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科學(xué)研究、實(shí)踐教學(xué)、小型器件制造。
設(shè)備結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)
1、小型化，方便實(shí)驗(yàn)室操作和使用，大幅降低實(shí)驗(yàn)成本
兩種基片尺寸2英寸或4英寸；每次裝片1～3片。
基片放置方式：配置三種基片托架，豎直、水平臥式、帶傾角。
基片形狀類(lèi)型：不規(guī)則形狀的散片、φ2～4英寸標(biāo)準(zhǔn)基片。
2、設(shè)備為水平管臥式結(jié)構(gòu)
由石英管反應(yīng)室、隔熱罩爐體柜、電氣控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)、壓力控制系統(tǒng)及氣瓶柜等系統(tǒng)組成。
反應(yīng)室由高純石英制成，耐腐蝕、抗污染、漏率小、適合于高溫使用; 設(shè)備電控部分采用了*的檢測(cè)和控制系統(tǒng)，量值準(zhǔn)確，性能穩(wěn)定、可靠。
設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo)
| 類(lèi)型 | 參數(shù) |
|---|---|
| 成膜類(lèi)型 | Si3N4、Poly-Si、SiO2等 |
| 溫度 | 1200℃ |
| 恒溫區(qū)長(zhǎng)度 | 根據(jù)用戶(hù)需要配置 |
| 恒溫區(qū)控溫精度 | ≤±0.5℃ |
| 工作壓強(qiáng)范圍 | 13～1330Pa |
| 膜層不均勻性 | ≤±5％ |
| 基片每次裝載數(shù)量 | 標(biāo)準(zhǔn)基片:1～3片;不規(guī)則尺寸散片:若干 |
| 壓力控制 | 閉環(huán)充氣式控制 |
| 裝片方式 | 手動(dòng)進(jìn)出樣品 |
生產(chǎn)型LPCVD設(shè)備簡(jiǎn)介
設(shè)備功能
該設(shè)備是在低壓高溫的條件下，通過(guò)化學(xué)反應(yīng)氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。
可提供相關(guān)鍍膜工藝。
設(shè)備結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)：
設(shè)備為水平管臥式結(jié)構(gòu)，由石英管反應(yīng)室、隔熱罩爐體柜、電氣控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)、壓力控制系統(tǒng)及氣瓶柜等系統(tǒng)組成。
反應(yīng)室由高純石英制成，耐腐蝕、抗污染、漏率小、適合于高溫使用;
整個(gè)工藝過(guò)程由計(jì)算機(jī)對(duì)全部工藝流程進(jìn)行管理，實(shí)現(xiàn)爐溫、氣體流量、壓力、閥門(mén)動(dòng)作、泵的啟閉等工藝參數(shù)進(jìn)行監(jiān)測(cè)和自動(dòng)控制。也可以手動(dòng)控制。
設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo)
| 類(lèi)型 | 參數(shù) |
|---|---|
| 成膜類(lèi)型 | Si3N4、Poly-Si、SiO2等 |
| 溫度 | 1200℃ |
| 恒溫區(qū)長(zhǎng)度 | 根據(jù)用戶(hù)需要配置 |
| 恒溫區(qū)控溫精度 | ≤±0.5℃ |
| 工作壓強(qiáng)范圍 | 13～1330Pa |
| 膜層不均勻性 | ≤±5％ |
| 基片每次裝載數(shù)量 | 100片 |
| 設(shè)備總功率 | 16kW |
| 冷卻水用量 | 2m3/h |
| 壓力控制 | 閉環(huán)充氣式控制 |
| 裝片方式 | 懸臂舟自動(dòng)送樣 |
LPCVD軟件控制界面
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