PICOSUN™P-300B原子層沉積系統已經成為高產能ALD 制造業的新標準。擁有熱壁、*  獨立的前驅體管路和特殊的載氣設計， 確  保我們可以生產出具有優異的成品率、低  顆粒水平和電學和光學性能的高質 量ALD薄膜。高效緊湊的設計使得維護更  加方便、快捷， 最大限度的減少了系統的  維護停工期和使用成本。擁有技術的 Picoflow™使得在超高深寬比結構上沉積  保形性薄膜更高效， 并已在生產線上得到 驗證。

PICOSUN™P-300B原子層沉積系統襯底尺寸和類型

•   200mm晶圓 25片/批次（標準間距）

•    150mm 晶圓 50片/批次（標準間距）

•    100mm 晶圓 75片/批次（標準間距）

•    非標準晶圓類基底（使用定制夾具）

•    高深寬比基底（最大深寬比1:2500）

工藝溫度

•    50 – 500°C

標準工藝

•   批量生產的平均工藝時間小于10秒/循環*

•   Al2O3, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, TiO2, ZrO2,AlN, TiN以及各種金屬

•    同一批次薄膜不均勻性<1% 1σ

(Al2O3, WIW, WTW, B2B, 49pts, 5mm EE)**

基片加載

•    氣動升降， 手動裝載

•    線性半自動裝載

前驅體

•    液態， 固態， 氣態， 臭氧源

•    源瓶余量傳感器， 提供清洗和裝源服務

•     4根獨立的源管線，最多加載8個前驅體源