光刻機，鍍膜機，磁控濺射鍍膜儀，電子束蒸發鍍膜儀，開爾文探針系統(功函數測量)，氣溶膠設備，氣溶膠粒徑譜儀，等離子增強氣相沉積系統(PECVD)，原子層沉積系統(ALD)，快速退火爐，氣溶膠發生器，稀釋器，濾料測試系統
| 價格區間 | 1000萬-2000萬 | 儀器種類 | 飛行時間 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 化工,生物產業,電子,制藥 | 原始束流或速能量 | 40kV, 70kVkV |
| 質量分辨率 | > 17000 | 質量分析范圍 | 3000Da的分子量U |
飛行時間二次離子質譜測試設備
先進的動態TOF-SIMS系統，它使用直流主束的飛行時間分析儀，創建了成像質譜的新范式。直流一次離子束的使用允許快速成像和連續數據采集（即沒有單獨的蝕刻周期），同時提供高空間和質量分辨率。
特點：
離子束帶來高分子量分析和高空間分辨率
四種離子束可選擇
用氣體團簇離子束SIMS，可以分析高達3000Da的分子量
無“僅蝕刻”循環的深度剖面。
快速、連續采集
冷樣品處理
氣敏和冷凍樣品
技術參數：
離子束帶來高分子量分析和高空間分辨率
四種離子束可選擇
用氣體團簇離子束SIMS，可以分析高達3000Da的分子量
無“僅蝕刻”循環的深度剖面。
快速、連續采集
冷樣品處理
氣敏和冷凍樣品,可配置手套箱
高級數據查看功能
腔室上最多可包括3種離子束。選擇包括金，C60，氣體團簇，和等離子體-每一個適合特定的樣品類型或實驗，如下所示。
離子束 | 能量 | 束斑大小 | |
金 | 25kV | <150nm | 最高的空間分辨率，導致明顯的碎片。是硬質材料的理想選擇。 |
碳60 (C60) | 40kV | <300nm | 在任何材料上均勻濺射，碎裂度低，理想值可達1kDa。 |
氣體團簇 （Ar/CO2/H2O） | 40kV, 70kV | <1um | 有機物的高濺射率，任何束流的低碎片，是生物成像的理想選擇。 |
雙等離子體發射源 (Ar/O2/N2/Cs) | 30kV | <300nm | 高亮度光源，是無機材料的理想選擇。氧束提高正離子產率，Cs提高負離子產率。 |
主要特點：
深度剖面
該 飛行時間二次離子質譜測試設備SIMS非常適合于樣品的深度剖面分析。使用直流離子束進行分析的一個重要方面是，不需要將蝕刻離子束與分析離子束交錯。為了能夠在合理的時間尺度上生成3D圖像，并去除受損的亞表面層，傳統的TOF實驗使用了交錯成像和蝕刻循環，這些循環浪費了寶貴的樣品。在使用C60+或（CO2）n/Arn+等連續分析離子束，分析和低損傷刻蝕是連續和并行的，因此沒有數據丟失，所有材料都被采樣，使我們 SIMS成為一個非常精確的深度剖面分析工具。
溫度和大氣控制的多功能樣品處理
該 SIMS上的多功能樣品處理系統可以分析多種樣品類型。儀器配備液氮冷卻裝置，以便對揮發性樣品進行分析——冷卻裝置適用于主樣品階段和樣品插入鎖。相反，樣品臺也可以加熱到600 K。
儀器配有手套箱，用于在干燥氣體下制備和插入空氣/水敏感樣品，并防止冷卻過程中結冰。由于小容量負載鎖定和高泵送速度，樣品插入很快。
半導體
半導體分析的范圍可以從淺結深度剖面到高分辨率3D成像。有五種不同的主離子束可供選擇，可以針對不同的材料或實驗類型進行定制。
從 40kV C60 光束中進行選擇，即使在混合材料上也能提供高分辨率成像和均勻的濺射率，是平面設備的理想選擇?；?span style="padding: 0px; margin: 0px; box-sizing: border-box; max-width: 100%;"> FLIG 5，超低能耗 O2/Cs 光束，具有高的電流密度，是淺結深度剖析的選擇。
特征：IOG C60-40， FLIG 5， 深度剖析， 3D 成像
聚合物
液態金屬離子束會導致高水平的碎裂和對表面的損壞，然后必須通過GCIB將其去除。這會降低深度分辨率，并增加實驗不必要的復雜性。GCIB是主光束，因此可確保低分段，不需要僅蝕刻循環，并保證高深度分辨率。
GCIB SM 是市場上能量最高的 GCIB，能夠快速和最小的損壞蝕刻聚合物等軟質材料，從而實現比以往更大的 3D 分析量。
特征：GCIB SM， 深度剖析， 3D 成像
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