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MDPmap-1 MDPmap單晶和多晶硅片壽命測(cè)量?jī)x

參考價(jià) 1000000
訂貨量 ≥1
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 束蘊(yùn)儀器(上海)有限公司
  • 品牌 Freiberg Instruments
  • 型號(hào) MDPmap-1
  • 產(chǎn)地 德國(guó)
  • 廠商性質(zhì) 代理商
  • 更新時(shí)間 2024/9/12 9:17:38
  • 訪問(wèn)次數(shù) 1695

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束蘊(yùn)儀器(上海)有限公司自成立以來(lái),憑借與德國(guó)布魯克(BRUKER)、衍射數(shù)據(jù)中心(ICDD)、德國(guó)Freiberg等實(shí)驗(yàn)室分析儀器品牌的戰(zhàn)略合作,迅速成為業(yè)界儀器供應(yīng)商。

我們擁有一支積極樂(lè)觀,正直誠(chéng)信的年輕團(tuán)隊(duì),我們熱忱的信仰科學(xué),相信科學(xué)技術(shù)能為我們的客戶帶來(lái)高品質(zhì)的生活,為社會(huì)的進(jìn)步起到積極的促進(jìn)作用。

束蘊(yùn)儀器為各類客戶提供優(yōu)質(zhì)的實(shí)驗(yàn)室和工業(yè)檢測(cè)儀器及過(guò)程控制設(shè)備,專業(yè)的應(yīng)用支持及完善的售后服務(wù),在中國(guó)大陸的諸多領(lǐng)域擁有大量用戶,如高校、科研院所、航空航天,政府組織、檢驗(yàn)機(jī)構(gòu)、及工業(yè)企業(yè)。產(chǎn)品覆蓋了醫(yī)藥、生物、材料、考古、電子、食品等各個(gè)行業(yè)。

公司的宗旨:為客戶量身打造合適的綜合解決方案、技術(shù)支持和現(xiàn)場(chǎng)服務(wù),優(yōu)質(zhì)的客戶培訓(xùn),快速及時(shí)的售后服務(wù)。

 

束蘊(yùn)儀器,讓世界更清晰!

主營(yíng)儀器設(shè)備:

--高分辨X射線顯微CT、多量程X射線納米CT、X射線衍射儀、X射線熒光光譜儀、電子順磁共振波譜儀          (ESR/EPR)、臺(tái)式核磁共振波譜儀 TD-NMR、光學(xué)輪廓儀等 -- 德國(guó)布魯克Bruker 授權(quán)代理商

--PDF衍射數(shù)據(jù)庫(kù)、JADE軟件--衍射數(shù)據(jù)中心(ICDD)授權(quán)代理商

--晶圓片壽命檢測(cè)儀、在線晶圓片/晶錠點(diǎn)掃或面掃檢測(cè)、晶圓片在線面掃檢測(cè)儀、臺(tái)式PID潛在誘導(dǎo)退化測(cè)試儀、釋光測(cè)定儀等--德國(guó)Freiberg Instruments授權(quán)代理商

--BPCL化學(xué)發(fā)光儀--微光科技華東區(qū)總代理

 


 單位名稱:束蘊(yùn)儀器(上海)有限公司

詳細(xì)地址:上海市松江區(qū)千帆路288弄G60科創(chuàng)云廊3號(hào)樓602室

 

 

 

 

 

MicroCT,顯微CT,微焦點(diǎn)CT,骨骼成像,顯微CT材料學(xué)檢測(cè),微納顯微CT,X射線斷層掃描,TOC,元素檢測(cè)

MDPmap:     

單晶和多晶硅片壽命測(cè)量設(shè)備用于復(fù)雜的材料研究和開(kāi)發(fā)         

       

        

特點(diǎn):        

  靈敏度:高的靈敏度,用于可視化迄今為止不可見(jiàn)的缺陷和調(diào)查外延層的情況        

◇  測(cè)量速度:6英寸硅片<5min,分辨率為1mm        

◇  壽命范圍:20ns到幾十ms        

◇  污染測(cè)定:源于坩堝和設(shè)備的金屬(鐵)污染        

◇  測(cè)量能力:從切割好的硅片到加工的樣品        

◇  靈活性:固定的測(cè)量頭可以與外部激光器連接并觸發(fā)        

◇  可靠性:模塊化和緊湊型臺(tái)式儀器,可靠性更高,正常運(yùn)行時(shí)間>99%        

◇  重復(fù)性:> 99%        

◇  電阻率:電阻率測(cè)繪,無(wú)需頻繁校準(zhǔn)        

       
技術(shù)規(guī)格:         

樣品尺寸                        

直徑達(dá)300mm(標(biāo)準(zhǔn)臺(tái)),直徑達(dá)450mm(定制),*小為5 x 5mm                        

壽命測(cè)量范圍 

20ns至幾十ms以上 

電阻率                        

0.2 - >103Ω·cm,p-型/n-型                        

樣品材料                        

硅片、外延層、部分或加工的硅片、化合物半導(dǎo)體及更多材料                        

可測(cè)量的特性

壽命 - μ-PCD/MDP (QSS), 光導(dǎo)率 

激發(fā)波長(zhǎng)                        

選擇從355nm到1480nm的*多四個(gè)不同波長(zhǎng)。980nm(默認(rèn))                        

尺寸規(guī)格                        

體積:680 x 380 x 450毫米;重量:約65公斤                        

電源                        

100 - 250V, 50/60 Hz, 5 A                        










MDPmap單晶和多晶硅片壽命測(cè)量?jī)x - 細(xì)節(jié):       

◇  用于研發(fā)或生產(chǎn)監(jiān)控的靈活測(cè)繪工具      

◇  MDPmap被設(shè)計(jì)成一個(gè)緊湊的臺(tái)式非接觸電學(xué)表征工具,用于離線生產(chǎn)控制或研發(fā),在穩(wěn)態(tài)或短脈沖激勵(lì)(μ-PCD)下,在一個(gè)寬的注入范圍內(nèi)測(cè)量參數(shù),如載流子壽命、光導(dǎo)率、電阻率和缺陷信息。自動(dòng)化的樣品識(shí)別和參數(shù)設(shè)置允許輕松適應(yīng)各種不同的樣品,包括外延層和經(jīng)過(guò)不同制備階段的晶圓,從原生晶圓到高達(dá)95%的金屬化晶圓        

◇  MDPmap的主要優(yōu)點(diǎn)是它的高度靈活性,例如,它允許集成多達(dá)四個(gè)激光器,用于測(cè)量從較低到高的注入水平的壽命,或通過(guò)使用不同的激光波長(zhǎng)提取深度信息。包括偏置光設(shè)施,以及μ-PCD或穩(wěn)態(tài)注入條件的選項(xiàng)。可以用不同的地圖進(jìn)行客戶定義的計(jì)算,也可以輸出主要數(shù)據(jù)進(jìn)行進(jìn)一步評(píng)估。對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)的計(jì)量任務(wù),預(yù)定義的標(biāo)準(zhǔn)只需按下一個(gè)按鈕就能進(jìn)行常規(guī)測(cè)量。            


 附加選項(xiàng):        

       

◇  光斑大小的變化       

◇  電阻率測(cè)量(晶圓)        

◇  方塊電阻        

◇  背景/偏光        

◇  反射測(cè)量(MDP)        

◇  太陽(yáng)能電池的LBIC(擴(kuò)散長(zhǎng)度測(cè)量)        

◇  偏壓MDP        

◇  參考晶圓        

◇  硅的內(nèi)部/外部鐵制圖        

◇  集成加熱臺(tái)        

◇  靈活的激光器配置 


MDPmap單晶和多晶硅片壽命測(cè)量?jī)x測(cè)量案例

                

                

鈍化多晶硅的壽命圖                

多晶硅的鐵污染圖            

                

                

單晶硅的硼氧圖            單晶硅的缺陷密度圖            
          
碳化硅外延片(>10μm)-少數(shù)載流子壽命mapping圖(平均壽命τ=0.36μs)            
            
高阻硅片(>10000Ω·cm)-少數(shù)載流子壽命mapping圖            
            
非鈍化硅外延片(20μm)-少數(shù)載流子壽命mapping圖            


MDPmap 應(yīng)用:

鐵濃度測(cè)定        

鐵的濃度的精確測(cè)定是非常重要的,因?yàn)殍F是硅中豐富也是有害的缺陷之一。因此,有必要盡可能準(zhǔn)確和快速地測(cè)量鐵濃度,具有非常高的分辨率且**是在線的        

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摻雜樣品的光電導(dǎo)率測(cè)量        

B和P的摻雜在微電子工業(yè)中有許多應(yīng)用,但到目前為止,沒(méi)有方法可以在不接觸樣品和由于必要的退火步驟而改變其性質(zhì)的情況下檢查這些摻雜的均勻性。迄今為止的困難……        

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陷阱濃度測(cè)定        

陷阱中心是非常重要的,為了了解材料中載流子的行為,也可以對(duì)太陽(yáng)能電池產(chǎn)生影響。因此,需要以高分辨率測(cè)量這些陷阱中心的陷阱密度活化能        

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注入相關(guān)測(cè)量        

少數(shù)載流子壽命強(qiáng)烈依賴于注入(過(guò)剩余載流子濃度)。從壽命曲線的形狀和高度可以推斷出摻雜復(fù)合中心俘獲中心的信息。        

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