薄膜、SEM氮化硅膜窗格

【基本信息】

中文名稱：SEM氮化硅膜窗格

純度：99.9%

材料：LPCVD 氮化硅薄膜

介電常數：6-7

介電強度：10（106 V/cm ）

電阻率：1016Ω-cm

粗糙度(Ra)：0.28±5%nm

折射率：2.15-2.17

粗糙度(Rms)：0.40±5%nm

存儲：-20℃冷藏、密封、避光

保存時間：1年

用途：僅用于科研，不能用于人體

薄膜、SEM氮化硅膜窗格

【詳情描述】

SEM氮化硅膜窗格指的是一種通過掃描電子顯微鏡（Scanning Electron Microscopy，SEM）觀察的氮化硅薄膜，該薄膜具有窗格結構。SEM廣泛用于觀察表面形貌和納米尺度結構。

SEM（掃描電子顯微鏡）：

定義： SEM是一種通過掃描樣品表面的電子束來產生圖像的顯微鏡。它提供高分辨率的表面形貌圖像，適用于納米尺度和微米尺度的觀察。

氮化硅膜窗格：

定義： 氮化硅膜窗格指的是在氮化硅薄膜上形成的具有窗格結構的區域。這些窗格可能具有不同的形狀、大小或分布。

這種窗格結構可能在納米技術、光學、光電子學等領域中發揮作用，具體應用可能涉及到傳感器、光學器件或其他納米材料的制備。

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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2024.1.31.         

以上文中提到的產品僅用于科研，不能用于人體及其他用途。