UltraTran 東譜科技多功能光電器件測(cè)試儀
- 公司名稱 東譜科技（廣州）有限責(zé)任公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào) UltraTran
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2024/8/23 9:12:42
- 訪問次數(shù) 114
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產(chǎn)品關(guān)鍵詞：斜坡電壓電流測(cè)試（Ramp-IV）、階梯電壓電流測(cè)試（Step-IV）、脈沖電壓電流測(cè)試（Pulse-IV）、開關(guān)瞬態(tài)光電流（on-off TPC）、開關(guān)瞬態(tài)光電壓（on-off TPV）、暗注入瞬態(tài)特性測(cè)試（DIT）、深能級(jí)瞬態(tài)譜（DLTS）、暗態(tài)線性增壓電荷抽取測(cè)試（Dark-CELIV）、光態(tài)線性增壓電荷抽取測(cè)試（Photo-CELIV）、電荷抽取測(cè)試（CE）、阻抗譜測(cè)試（IS）、電容電壓測(cè)試（CV）、強(qiáng)度調(diào)制光電流譜（IMPS）、強(qiáng)度調(diào)制光電流譜（IMPS）、強(qiáng)度調(diào)制光電流譜（IMPS）、光電器件瞬態(tài)特性（時(shí)域/頻域測(cè)試）、電致發(fā)射譜（ELS）、多功能載流子瞬態(tài)特性分析
▌ 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
UltraTran是一款集成了多種光電測(cè)試功能的儀器設(shè)備，專門針對(duì)半導(dǎo)體材料和器件的電學(xué)與光電特性進(jìn)行精確測(cè)量，尤其適用于發(fā)光（OLED、PeLED等）與光伏器件（OPV、晶硅PV、異質(zhì)結(jié)疊層PV等），該設(shè)備核心功能包括：
1）斜坡電壓電流測(cè)試（Ramp-IV）、階梯電壓電流測(cè)試（Step- IV）和脈沖電壓電流測(cè)試（Pulse-IV）。這些測(cè)試模式使得用戶能夠以不同的電學(xué)激勵(lì)方式對(duì)樣品進(jìn)行掃描，從而獲得關(guān)于樣品在不同激勵(lì)下的電學(xué)性質(zhì)。Ramp-IV以連續(xù)的方式提供電壓掃描，適用于捕捉材料響應(yīng)的連貫變化；Step-IV則以逐步階梯的方式提供電壓，適合觀察材料在不同電壓階躍下的穩(wěn)態(tài)行為；而Pulse-IV通過短時(shí)的電壓脈沖，允許研究器件的動(dòng)力學(xué)IV特性，也可以有效減少器件的熱阻，增加器件的注入電流。
2）UltraTran還提供了開關(guān)瞬態(tài)光電流（on-off TPC）和開關(guān)瞬態(tài)光電壓（on-off TPV）測(cè)試，這些功能適合于研究材料在光照激發(fā)下的上升和下降過程【瞬態(tài)光電流/光電壓/光電荷測(cè)試參考我司TranPVC產(chǎn)品】。
3）暗注入瞬態(tài)特性測(cè)試（DIT）和深能級(jí)瞬態(tài)譜（DLTS）是可以用于探測(cè)和分析半導(dǎo)體中的陷阱和缺陷狀態(tài)。DLTS技術(shù)尤為擅長(zhǎng)于識(shí)別和量化材料中的微小缺陷濃度，為改善半導(dǎo)體材料質(zhì)量提供關(guān)鍵信息。
4）設(shè)備還支持暗態(tài)線性增壓電荷抽取測(cè)試（Dark-CELIV）和光態(tài)線性增壓電荷抽取測(cè)試（Photo-CELIV），這兩種模式能夠測(cè)定電荷在半導(dǎo)體內(nèi)的傳輸和復(fù)合機(jī)制，得到遷移率等參數(shù)。
5）等效電荷抽取測(cè)試（CE），可以研究器件的電荷濃度。
6）阻抗譜測(cè)試（IS）、電容電壓測(cè)試（CV）等功能則為設(shè)備增加了額外的維度，使其能夠全面評(píng)估材料的阻抗和介電性能。
7）強(qiáng)度調(diào)制光電流譜（IMPS）和強(qiáng)度調(diào)制光電壓譜（IMVS）為研究者提供了一種方法來探究材料對(duì)光強(qiáng)變化的頻率響應(yīng)，這對(duì)于光伏材料和應(yīng)用尤為重要。
8）電致發(fā)射譜（ELS）為研究材料的電致發(fā)光特性，得到光譜、色坐標(biāo)等參數(shù)。
▌ 測(cè)試功能
□ 斜坡電壓電流測(cè)試（Ramp-IV）；
□ 階梯電壓電流測(cè)試（Step-IV）；
□ 脈沖電壓電流測(cè)試（Pulse-IV）；
□ 開關(guān)瞬態(tài)光電流（on-off TPC）；
□ 開關(guān)瞬態(tài)光電壓（on-off TPV）；
□ 深能級(jí)瞬態(tài)譜（DLTS）；
□ 暗注入瞬態(tài)特性測(cè)試（DIT）；
□ 暗態(tài)線性增壓電荷抽取測(cè)試（Dark-CELIV）。
□ 光態(tài)線性增壓電荷抽取測(cè)試（Photo-CELIV）；
□ 電荷抽取測(cè)試（CE）；
□ 阻抗譜測(cè)試（IS）；
□ 電容電壓測(cè)試（CV）；
□ 強(qiáng)度調(diào)制光電流譜（IMPS）；
□ 強(qiáng)度調(diào)制光電壓譜（IMVS）；
□ 電致發(fā)射譜（ELS）；
▌ 產(chǎn)品應(yīng)用
□ 半導(dǎo)體：有機(jī)半導(dǎo)體、金屬-有機(jī)框架、共價(jià)有機(jī)框、鈣鈦礦材料、二維材料、元素半導(dǎo)體（Si、Ge等）、化合物半導(dǎo)（InGaAs等）、寬帶隙第三代半導(dǎo)體、量子點(diǎn)半導(dǎo)體、其它半導(dǎo)體材料；
□ 光伏材料器件；
□ 發(fā)光材料器件；
□ 光催化材料器件。
▌ 功能模塊
| 多功能光電器件測(cè)試儀UltraTran | ||||
| 功能 | 是否標(biāo)配 | 電光轉(zhuǎn)換器件選配 | 光電轉(zhuǎn)換器件選配 | |
| 斜坡電壓電流測(cè)試（Ramp-IV） | ● | |||
| 階梯電壓電流測(cè)試（Step-IV） | ● | |||
| 脈沖電壓電流測(cè)試（Pulse-IV） | ● | |||
| 開關(guān)瞬態(tài)光電流（on-off TPC） | × | ● | ||
| 開關(guān)瞬態(tài)光電壓（on-off TPV） | × | ● | ||
| 暗注入瞬態(tài)特性測(cè)試（DIT） | ● | |||
| 深能級(jí)瞬態(tài)譜（DLTS） | ● | |||
| 暗態(tài)線性增壓電荷抽取測(cè)試（Dark-CELIV） | ● | |||
| 光態(tài)線性增壓電荷抽取測(cè)試（Photo-CELIV） | × | ● | ● | |
| 電荷抽取測(cè)試（CE） | × | ● | ||
| 阻抗譜測(cè)試（IS） | ● | |||
| 電容電壓測(cè)試（CV） | ● | |||
| 強(qiáng)度調(diào)制光電流譜（IMPS） | × | ● | ||
| 強(qiáng)度調(diào)制光電壓譜（IMVS） | × | ● | ||
| 電致發(fā)射譜（ELS） | × | ● | ||
| 性能參數(shù) | ||||
| 采樣率 | 250MS/s | |||
| 時(shí)間分辨率 | 5ns | |||
| 頻率范圍 | 10 mHz to 10 MHz | |||
| 電壓范圍 | ±12V | |||
| 電流范圍 | 0~100 mA | |||
| 最小電流分辨率 | ≤100pA | |||
| 光電探測(cè)模塊 | 波長(zhǎng)范圍：350nm-1100nm；上升時(shí)間：14ns。 | |||
| LED光源模塊 | 色溫：6500K；波長(zhǎng)范圍：400nm-700nm； | |||
| 變溫模塊 | 根據(jù)需要配置液氮低溫恒溫器、液氦低溫恒溫器等 | |||
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