等離子蝕刻機Etchlab 200
- 公司名稱 北京瑞科中儀科技有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號
- 產地
- 廠商性質 代理商
- 更新時間 2024/10/10 10:09:01
- 訪問次數 206
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產地類別 | 進口 | 應用領域 | 環保,生物產業,地礦,制藥,綜合 |
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低成本效益高
等離子蝕刻機Etchlab 200結合平行板等離子體源設計與直接置片。
升級擴展性
根據其模塊化設計,等離子蝕刻機Etchlab 200可升級為更大的真空泵組,預真空室和更多的氣路。
SENTECH控制軟件
該等離子刻蝕機配備了用戶友好的強大軟件,具有模擬圖形用戶界面,參數窗口,工藝編輯窗口,數據記錄和用戶管理。
代表了直接置片家族,它結合了RIE的平行板電極設計和直接置片的成本效益設計的優點。Etchlab 200的特征是簡單和快速的樣品加載,從零件到直徑為200mm或300mm的晶片直接加載到電極或載片器上。靈活性、模塊性和占地面積小是Etchlab 200 的設計特點。位于頂部電極和反應腔體的診斷窗口可以方便地容納SENTECH激光干涉儀或OES和RGA系統。橢偏儀端口可用于SENTECH原位橢偏儀進行原位監測。
Etchlab 200等離子蝕刻機可以配置成用于刻蝕直接加載的材料,包括但不限于硅和硅化合物,化合物半導體,介質和金屬。
Etchlab 200通過的SENTECH控制軟件操作,使用遠程現場總線技術和用戶友好的通用用戶界面。
主要基于等離子體的產生和應用,其詳細原理可以歸納如下:### 一、等離子體產生* **氣體引入與電離**:在Etchlab 200等離子蝕刻機中,首先會向真空室內引入適量的氣體(如氧氣、氟氣等),這些氣體在高頻電場的作用下被電離,形成等離子體。等離子體是由部分離化的中性氣體組成,其中包含離子、電子、原子和活性基團等“活性”組分。* **加速過程**:產生的等離子體隨后被加速器加速,使其具有足夠的能量來撞擊材料表面。### 二、刻蝕過程* **物理刻蝕**:加速后的等離子體以高速撞擊材料表面,通過物理碰撞將表面的原子或分子擊出,這個過程稱為物理刻蝕。* **化學刻蝕**:同時,等離子體中的活性組分(如離子、自由基等)與材料表面發生化學反應,進一步促進刻蝕過程。這些化學反應可能包括氧化、還原、置換等,具體取決于所使用的氣體種類和材料性質。### 三、刻蝕產物移除* 刻蝕過程中產生的產物會附著在材料表面,為了保持刻蝕的連續性和精度,需要將這些產物及時移除。Etchlab 200等離子蝕刻機通過引入適量的氣體(如惰性氣體)與刻蝕產物反應,形成易揮發的化合物,從而將刻蝕產物帶走。### 四、控制系統* Etchlab 200等離子蝕刻機配備了先進的控制系統,可以調整等離子體的能量、氣體流量等參數,以精確控制刻蝕過程的速率和精度。此外,該系統還具備模擬圖形用戶界面、參數窗口、工藝編輯窗口等功能,方便用戶進行工藝設置和監控。### 五、應用特點* **高精度**:由于等離子體的高能量和精確控制,Etchlab 200能夠實現高精度的微細結構制造和加工