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反應離子蝕刻設備機器

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北京瑞科中儀科技有限公司一家是專門從事數碼光學顯微鏡及相關實驗室設備研發與銷售的新型高科技公司,也專注于半導體材料研究與分析設備的經銷和代理,為高校、企業科研工作者提供專業的材料分析解決方案,北京瑞科中儀科技有限公司長期代理銷售供應多種分子材料的研究分析設備,其中包括但不限于掃描電子顯微鏡、感應耦合等離子體化學氣相沉積系統、離子束刻蝕機、等離子清洗機、物理氣相沉積系統以及各品牌的光學顯微鏡以及實驗室設備儀器,以專業能力導向,精細工藝流程,用科學手段解決科研中遇到的難題.彼此協作,為我國的科研領域譜寫新篇章。

公司主要產品包括:生物顯微鏡、金相顯微鏡、偏光顯微鏡、體視顯微鏡、數碼顯微鏡、顯微鏡數碼相機照相接口、顯微鏡*冷光源、數碼圖像分析系統、測量顯微鏡、三座標測量顯微鏡,激光細胞顯微操作 拉曼顯微鏡光學儀器及設備/光學顯微鏡/熒光顯微鏡光學儀器及設備/電子顯微鏡/其它電子顯微鏡半導體行業專用儀器/其它半導體行業儀器設備其它半導體設備生命科學儀器/分子生物學儀器/PCR儀生命科學儀器/分子生物學儀器/基因測序儀生命科學儀器/分子生物學儀器/DNA合成儀半導體行業專用儀器/薄膜生長設備/其它薄膜沉積設備半導體行業專用儀器/光刻及涂膠顯影設備/無掩模光刻機/直寫光刻機

公司經銷代理品牌包括:蔡司顯微鏡,奧林巴斯顯微鏡,尼康顯微鏡,徠卡顯微鏡,國產各廠家顯微鏡, 華粵行 ,基恩士 , 日本電,日立 ,布魯克,三和聯, sentech(森泰克),SYSKEY(矽碁), PE(鉑金埃爾默)全系產品 ,天美愛丁堡,原子光譜,氣相色譜,PE(鉑金埃爾默)全系產品

代理經銷的產品種類包括,熒光顯微鏡,熒光顯微成像系統,激光捕獲顯微切割,全自動切片掃描,三維超景深顯微系統,動物超聲系統,3D超景深顯微鏡,形貌探測顯微鏡,蔡司共聚焦顯微鏡,全自動數字切片掃描,病理切片掃描,激光切割顯微系統,立體顯微鏡,國產激光共聚焦顯微鏡,精準醫學顯微切割,激光顯微切割系統,按需搭建顯微系統,熒光光譜儀,激光細胞顯微操作 拉曼顯微鏡光學儀器及設備/光學顯微鏡/熒光顯微鏡光學儀器及設備/電子顯微鏡/其它電子顯微鏡半導體行業專用儀器/其它半導體行業儀器設備其它半導體設備生命科學儀器/分子生物學儀器/PCR儀生命科學儀器/分子生物學儀器/基因測序儀生命科學儀器/分子生物學儀器/DNA合成儀半導體行業專用儀器/薄膜生長設備/其它薄膜沉積設備半導體行業專用儀器/光刻及涂膠顯影設備/無掩模光刻機/直寫光刻機


公司成立伊始,即本著“以人為本,誠信發展,合作共贏"的企業宗旨,快樂中結識新朋友,穩步中追求新發展。目前公司已經擁有一支由專業技術人員、營銷人員和維修人員組成的強大隊伍,竭誠為廣大客戶提供包括技術咨詢、產品配套、安裝調試、應用指導、維護保養在內的整套細致入微的服務。同時公司還依托中國地質研究院、清華大學、中國農業大學、中科院等科研院所的強大技術實力,特聘多名教授、博士作為我公司提供多方面的技術支持。

公司儲備各顯微鏡現貨,只要您有需求,我們就能隨時為您提供各種產品選配服務。公司管理層、營銷隊伍和技術人員都具備多年的專業技術經驗,相信我們的質量和服務一定是顯微光學領域中無法可比的。

北京瑞科中儀科技有限公司秉承“專業的人員,過硬的技術,優秀的產品"精神,為您提供專業、及時、周到的技術服務,北京瑞科中儀科技有限公司必將成為您值得信賴的伙伴!












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產地類別 進口 應用領域 石油,地礦,建材,綜合

反應離子蝕刻設備機器中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性,並具有重複性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。反應離子蝕刻設備機器

因此,RIE製程是化學物理蝕刻製程,也是半導體製造中用於構造各種薄膜的最重要製程。SYSKEY的系統可以精準的控制製程氣體與電漿製程,並提供高品質的薄膜。

根據蝕刻技術的不同,等離子體蝕刻技術可以分為三類:純物理性質的沖擊蝕刻、純化學反應的化學蝕刻和物理化學反應的沖擊蝕刻。純粹的物理沖擊顯然與濺射物理學相似,氬元素(Ar)是由電離輝光釋放而成,利用氬離子的力量,將氬離子陰極微金屬沖擊在陰極板(晶圓)的位置,沖擊通過薄薄的頂層,氬離子陷阱蝕刻以再生轟擊,從而加速其實現蝕刻目標。以這種方式轟擊粒子實現的蝕刻被稱為具有純物理特性的沖擊蝕刻,因為它是將純能量轉化為物理特性。物理性質的優點是激勵波明顯分離加速和強定向,因此輪廓清晰,轉向圈具有良好的寬度和高各向異性。然而,通過純粹的物理沖擊實現蝕刻目標的缺點是,當要蝕刻的薄膜被蝕刻時,暴露在等離子體上的金屬涂層也被蝕刻,導致蝕刻的選擇性比率很差。這是因為金屬離子也會接觸到涂層基材,所以刻蝕的終點也需要精密控制,以避免造成基層的破壞。此外,由于受沖擊的材料通常是固體顆粒,這種化合物可以沉積在刻蝕膜的表面和側壁上,導致涂膜下的材料表面出現材料染色。

然后通過等離子體擴散到未拉伸的薄膜和薄膜層材料的表面化學反應基團中,產生化學反應,純化學反應,化學反應中產生的物質帶有高度揮發性,并隨著未反應的物質一同被排出反應腔體。純化學反應蝕刻和濕法蝕刻一樣,也有優點和缺點,如良好的刻蝕選擇性比率、各向同性的蝕刻、成本低。

反應離子蝕刻設備機器參數

應用領域腔體
  • 基礎電漿研究。

  • III-V族化合物半導體蝕刻(GaAsn,InP,GaN)。

  • Si,SiO2,SiNx 蝕刻。

  • 微機電系統。

  • 金屬與矽的蝕刻。

  • 陽極電鍍處理鋁腔。

  • 通過使用水冷系統、加熱器或加熱包來控制腔體溫度。


配置和優點選件
  • 客製化的基板尺寸,直徑可達12寸晶圓。

  • 單載片或多載片。

  • 優異的薄膜均勻度小於±5%。

  • 精準流量控制器,氣體分佈高度均勻,最多可容納6條氣體管線。

  • 穩定的溫度控制,將載盤加熱至400°C或冷卻至-20°C。

  • 渦輪分子幫浦。

  • 蝕刻終點偵測(OES,激光)相容性。









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