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VTC-1HD-ZF2高真空磁控濺射蒸發鍍膜儀

具體成交價以合同協議為準

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  沈陽科晶立足國內市場實際情況,以提供Z為實用的產品為己任。產品的質量、精度在向國外企業看齊的基礎上,產品的價格定位卻僅僅是其幾分之一。性價比不僅吸引了眾多國內客戶,而且令挑剔的外國客商也稱贊不已,產品遠銷于印度、馬來西亞、土耳其、波蘭、突尼斯、澳大利亞等國家,并大量出口于美國。

  沈陽科晶為了更好地服務客戶,專門設立了開放式專業實驗室,配備了優秀的專業技術人員。在這里,不僅可以提供親身的產品體驗環境,而且還可得到專業人員的操作指導。開設以來,制作的樣品達上千件,接待來訪客參觀戶百余次,其中包括多次外國友人的來訪。在此,沈陽科晶全體員工誠摯地歡迎您的到來,并希望您能提出寶貴的意見與建議。

  沈陽科晶一路走過的歷程,是為我國材料研究事業全力貢獻的歷程,是以實際行動將自己打造成國內材料分析設備品牌的歷程,是與國外同行不斷縮小差距的歷程,是與廣大客戶相扶相持的成長歷程。雖一路充滿坎坷與荊棘,但堅持不懈的沈陽科晶人仍全力以赴的前行。秉承這份堅持,相信在不久的將來,沈陽科晶也將會成為市場上專業的、杰出的材料分析設備品牌,沈陽科晶的明天會更加燦爛輝煌。

 

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切割機,金剛石線切割機,研磨拋光機,提拉涂膜機,旋轉涂膜機,真空鍍膜機,管式爐,箱式爐,電池實驗研究設備,清洗機

產地類別 國產 價格區間 面議
應用領域 電子,冶金,綜合
產品簡介VTC-1HD-ZF2高真空磁控濺射蒸發鍍膜儀

VTC-1HD-Z F2高真空磁控濺射蒸發鍍膜儀是多功能高真空鍍膜設備,含單靶磁控濺射儀可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導電薄膜、合金薄膜、半導體薄膜、陶瓷薄膜、介質薄膜、光學薄膜、氧化物薄膜、硬質薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。

本機設置1個蒸鍍加熱舟,特別適合蒸鍍對氧較敏感的金屬膜(如Ti、Al 、Au等),加熱舟上方有一個可旋轉擋板;2只束源爐工位(標配1只束源爐);1組流量計(氬氣一組)帶φ150玻璃觀察窗。

技術參數VTC-1HD-ZF2高真空磁控濺射蒸發鍍膜儀

產品名稱

VTC-1HD-ZF2高真空磁控濺射蒸發鍍膜儀

產品型號

VTC-1HD-ZF2

主要參數

1、真空室:φ324X330

極限真空6.0X10-4Pa(采用國產FF-150升渦輪分子泵+機械泵)

漏率:2.0x10-10Pa.m3/s

材料為304不銹鋼焊接,電化學表面拋光處理。

活動處密封采用橡膠密封圈,不活動處密封采用銅密封圈密封。

動力傳動采用磁耦合聯動方式。

真空室一個磁控靶位、一組蒸發電極(兩只)、2只束源爐工位(標配1只束源爐)。

1組流量計(氬氣一組)帶φ150玻璃觀察窗,另預留C35法蘭接口。

2、濺射靶頭:2吋(φ50.8mm)

工作真空度:10Pa~0.2Pa

靶材利用率:>35%(標準3mm銅靶材,靶面真空度0.5Pa)

MAX功率:<240W(充分冷卻)

絕緣電壓:>2000V(配套500W直流電源1個)

3、電阻蒸發:

蒸發輸出電壓:AC 0-8V連續可調

極限蒸發電流200A

極限蒸發功率<1.6KW

溫度不可控,不可測。

4、束源爐:坩堝容量:3CC

加熱溫度:室溫-700°C

加熱溫度可測、可調、可控。

控溫精度:±0.5°C

標配石英坩堝,帶擋板、熱電偶。

電源功率:500W、36V

5、樣品臺:φ120

溫控:室溫-500°C

轉數:1-20rpm

樣品臺可手動升降,可調行程上限:50mm

6、EQ-TM106-1膜厚儀

1)電源:DC  5V(±10%),MAX電流400mA

2)頻率分辨率:±0.03Hz

3)膜厚分辨率:0.0136?(鋁)

4)膜厚準確度:±0.5%,取決于過程條件,特別是傳感器的位置,材料應力,溫度和密度。

5)測量速度:100ms-1s/次,可設置

6)測量范圍:500000?(鋁)

7)標準傳感器晶體:6MHz

8)計算機接口:RS-232/485串行接口(波特率1200、2400、4800、9600、19200、38400可設置,數據位:8,停止位:1,校驗:無)

9)模擬輸出:8比特分辨率,PWM脈寬調制輸出(集電極開路或內部5V輸出)

10)工作環境:溫度0-50℃,濕度5%-85%RH,不得有冷凝水珠

11)外形尺寸:90mm×50mm×18mm

7、設備標配冷水機組1臺(KJ5000型),客戶自備冷水機及去離子水或純凈水。

8、整機電源輸入:AC220V/50Hz。功率<3.5KW。

9、產品規格:

尺寸:約1300mm×660mm×1200mm;         重量:約160 kg






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