低能量離子減薄儀IV5/IV8 低能量離子減薄儀
- 公司名稱 上海普譽科貿有限公司
- 品牌
- 型號 低能量離子減薄儀IV5/IV8
- 產地
- 廠商性質 代理商
- 更新時間 2017/4/21 15:07:11
- 訪問次數 1556
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儀器簡介:
儀器簡要介紹:
Technoorg 出品的Gentle Mill系列產品可用于zui終拋光、很容易對先前在標準高能離子減薄儀上或FIB上處理過的樣品進行清潔及改善性能。推薦用戶選擇Gentle Mill型號來進行樣品制備
• 無合成產物
• 幾乎無損壞
*質量的XTEM(截面透射電鏡),HRTEM(高分辨透射電鏡)或STEM(掃描透射電鏡)樣品制備。
這些配置的離子減薄儀也可適用于對磨凹(凹坑)處理過的或薄的(< 25 μm)、平面的、被機械拋光的樣品進行快速減薄。
技術參數:
主要技術參數:
離子能量:100 - 2000 eV,連續可調
離子電流密度:zui大10 mA/cm2
離子束流:7 - 90 uA,連續可調
離子束直徑:750 - 1200 um (FWHM)
減薄速率:2000 eV離子能量及30度離子束入射角時,c-Si上的減薄速率為28 um/h
樣品臺
減薄角度:0 - 45°,電子調節步長為0.1°
計算機控制樣品平面旋轉
搖擺(0- 120°角度范圍,電子調節步長為10°)
出眾的厚度范圍:涵蓋TEM樣品厚度(30 - 200 um)
主要特點:
主要特點優點:
Gentle Mill溫和型低能離子減薄儀(型號IV5/IV8)為的制備高質量TEM/FIB樣品的離子減薄工作站
● 的低能離子源:Gentle Mill離子束工作站所用的熱陰極低能離子源,具有令人矚目的技術。極其低能量的離子束確保使表面損壞及離子束誘導的無定形物減至zui小限度。*的離子源結構允許高離子束電流密度。所有離子槍參數包括加速電壓及陰極電流由數字反饋回路全自動控制,但它們在樣品制備過程中也可手動進行改變。離子源參數的初始值既可自動也可手動設置,并可在電腦顯示屏中連續顯示。
● 無合成產物的樣品制備:Gentle Mill在低能量離子轟擊時對樣品無損壞的*能力,在應用科學及材料研究領域中,給用戶提供了研究合成材料及自然材料中真實納米結構的*工具。
● 對TEM/FIB樣品進行清潔及后處理的快速、可靠的方法
● 獨立用戶模式,帶有預編程設置的自動操作:第三代Gentle Mill 3(型號IV8)為全計算機控制,通過易使用的圖形界面操作。所有減薄參數包括離子源的設置、氣流量控制、其它減薄參數如樣品移動及傾斜角度的設置、穿孔檢測等可以被貯存,或以任意步數進行預編程。這種全自動特點減少了人為干預,可制備高質量的樣品。自動終止功能為圖像分析模塊支持的減薄過程的光學終止(探測樣品穿孔或監視樣品表面形貌)。Gentle Mill 3配有軟件擴展功能,可實現在線,通過網絡進行即時故障偵測及問題排除。
● 樣品進樣系統:真空裝載鎖定系統,可進行快速樣品更換;全機械、無膠合樣品裝載機構;對XTEM樣品特別設計的鈦框架及封裝技術
● 可應用于工業環境研究
● 專門設計,可直接用于Hitachi的FIB-STEM/TEM系統3D樣品托:基于Hitachi的FIB/STEM 和Technoorg的Gentle Mill 離子束工作站,Hitachi 與Technoorg合作共同提供了一個完整方案用于特定要求低損壞樣品的制備。半自動和全自動的Gentle Mill型號具有低能量離子減薄及清潔能力,可用于FIB樣品制備的zui后步驟來去除無定形物或損壞的表面層。這些型號可允許直接插入Hitachi的3D FIB/STEM樣品桿,因而樣品制備時間可大大地減少。
● 分類: Gentle Mill(型號為IV5),為計算機控制的標準型號;Gentle Mill 3(型號為IV8),為全自動型號;Gentle Mill Hi and Gentle Mill 3 Hi為與Hitachi FIB/STEM系統兼容的型號。