濺射鍍應用及工作原理

磁控濺射鍍膜設備：

    磁控濺射鍍膜設備是一種多功能、率的鍍膜設備。可根據用戶要求配

置旋轉磁控靶、中頻孿生濺射靶、非平衡磁控濺射靶、直流脈沖疊加式偏壓電源等，

組態靈活、用途廣泛，主要用于金屬或非金屬（塑料、玻璃、陶瓷等）的工件鍍鋁、

銅、鉻、鈦金、銀及不銹鋼等金屬膜或非金屬膜及滲金屬DLC膜，所鍍膜層均勻、

致密、附著力強等特點，可廣泛用于家用電器、鐘表、工藝美術品、玩具、車燈

反光罩以及儀器儀表等表面裝飾性鍍膜及工模具的功能涂層。

    a旋轉磁控濺射鍍膜機；旋轉磁控濺射鍍膜技術，是國內外的磁控濺射鍍膜技術，靶材利用率達到70～80%

以上，基體鍍膜均勻，色澤一致。

    b平面磁控濺射鍍膜機；

    c中頻磁控濺射鍍膜機；

    d射頻磁控濺射鍍膜機。

    可以在金屬或非金屬（塑料、玻璃、陶瓷）的工件鍍金屬鋁、銅、鈦金、鋯、銀、不銹鋼及金屬反應物（氧化

物、氮化物、炭化物）、半導體金屬及反應物。所鍍膜層均勻、致密、附著力好等特點。

一、    單室/雙室/多室磁控濺射鍍膜機

    該鍍膜機主要用于各種燈飾、家電、鍾表、玩具以及美術工藝等行業，在金屬或非金屬（塑料、玻璃、陶瓷）等

制品鍍制鋁、銅、鉻、鈦、鋯、不銹鋼等系列裝飾性膜層。

技術指標：

    真空室尺寸：可以根據用戶的要求設計成單室或雙室或多室

    極限壓力：8×10-4Pa

    恢復真空度時間：空載 從大氣至 5 × 10-2Pa ≤ 3或8min（根據用戶要求定）

    工作真空度：10～1.0× 10-1Pa

    工藝氣體進入裝置：質量流量控制器（可選配自動壓強控制儀）

    轉動工件架形式：公 / 自轉工件架

    濺射源：矩形平面濺射源（1～4個）/柱狀濺射源（1個）/混合濺射源

    可以選配：基片烘烤裝置；反濺射清洗

二、單室/雙室/多室磁控反應濺射鍍膜機

    該鍍膜機主要用于太陽能吸熱管所需要的鍍膜涂層（如Al—N/Al或Cu—C/1Cr18Ni9Ti）；轎車后視鏡鍍膜

（藍玻）；裝飾仿金、七彩鍍膜；透明導電膜（ITO膜）；保護膜。

技術指標：

    真空室尺寸：可以根據用戶的要求設計成單室或雙室或多室

    極限壓力：8×10-4Pa

    恢復真空度時間：空載 從大氣至 5 × 10-2Pa ≤ 15min（根據用戶要求定）

    工作真空度：10～1.0× 10-1Pa

    工藝氣體進入裝置：質量流量控制器（可選配自動壓強控制儀）

    工作氣路：2路或3路

    轉動工件架形式：公 / 自轉工件架

    濺射源：矩形平面濺射源（1～4個）/柱狀濺射源（1個）/混合濺射源

 三、多功能鍍膜機

   設備基本配置：

              真空室

              工件轉動系統

              真空抽氣系統

              工作氣體供氣系統

   濺射系統：平面濺射/柱狀濺射/中頻濺射/射頻濺射系統

   轉動系統

   控制系統

   冷卻系統

技術指標：

    真空室尺寸：φ600×800 φ850×1000  φ1000×1200 φ1100×1500      可以根據用戶的要求設計成箱式

    極限壓力：8×10-4Pa

    恢復真空度時間：空載 從大氣至 5 × 10-2Pa ≤ 15min（根據用戶要求定）

    工作真空度：10～1.0× 10-1Pa

    工藝氣體進入裝置：質量流量控制器（可選配自動壓強控制儀）

    工作氣路：2路或4路

    轉動工件架形式：公 / 自轉工件架

    濺射源：矩形平面濺射源（1～4個）/柱狀濺射源（1個）/中頻濺射源/射頻濺射源/混合濺射源

用途：本設備應用磁控濺射原理，在真空環境下，在玻璃、陶瓷等非金屬；半導體；金屬基體上制備各種金屬膜、合金膜、反應化合物膜、介質膜等等。

四、實驗系列磁控濺射鍍膜機

  技術指標：

     真空室：φ450×400

     極限壓力：5×10-5Pa

     工作壓力：1～1.0× 10-2Pa

     真空系統主泵：渦輪分子泵

     陰極靶數量：2～5個

     工作氣體控制：質量流量控制器，自動壓強控制儀

     工作氣路：2路或4路

     靶電源：直流磁控濺射源（10000W），

中頻電源（10000W），

射頻電源（2000W）。

     工件轉動：行星式公自轉

     工件負偏壓：/

  性能特點：磁控靶數量多，靶材種類變化大，各種參數變化范圍大，所鍍制膜層有金屬、合金、化合物，可鍍制單層或多層膜。

五、中頻磁控濺射鍍膜機

    中頻磁控濺射鍍膜技術是磁控技術另一新里程碑,是鍍制化合物（氧化物、氮化物、碳化物）系膜的理想設備，

*克服了靶打弧和中毒現象,并具濺射速率快、沈積速率高等優點,適合鍍制銦錫合金（ITO）、氧化鋁（AL2O3）

、二氧化硅（SiO2）、氧化鈦（TiO2）、氧化鋯（ZrO2）、氮化硅（Si3N4）等，配置多個靶及膜厚儀,可鍍制多種多層膜或合金膜層。

六、射頻磁控濺射鍍膜機

具有濺射速率高，能鍍任何材料（導體、半導體和介質材料）。在低氣壓下等離子體放電，膜層致密，針孔少。

主要技術參數 

真空室尺寸：F500´450（mm）

極限真空度：優于4´10- 4 Pa （3´10- 6Torr）   

濺   射   靶： F 100mm磁控濺射源三只濺

射功率： 直流5千瓦，射頻2千瓦