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由于金屬塊體材料的電阻和金屬薄膜的電阻很低，他們的測量采用四端接線法。為了滿足實際的需要，本儀器采用四探針法原理來實現對不同金屬、半導體、導電高分子材料的電阻及電阻率的測量。可用于高校物理教育實驗，對導體/半導體/金屬薄膜材料的電阻 及電阻率的測試及研究。
產品簡介
詳細介紹
四探針導體/半導體電阻率測量儀 概述：
DD.13-SB100A/3型四探針導體/半導體電阻率測量儀由于金屬塊體材料的電阻和金屬薄膜的電阻很低，他們的測量采用四端接線法。為了滿足實際的需要，本儀器采用四探針法原理來實現對不同金屬、半導體、導電高分子材料的電阻及電阻率的測量。可用于高校物理教育實驗，對導體/半導體/金屬薄膜材料的電阻 及電阻率的測試及研究。本產品的電阻測量范圍可達10-6—106Ω。
DD.13-SB100A/3型是由SB118/1型精密電壓電流源以及SB120/2四探針樣品平臺二臺儀器構成。
配件技術參數信息：
【SB118型精密直流電壓電流源 （詳見該產品使用說明書）
直流電流源
a） 電流輸出范圍：1nA~200mA，輸出電壓不小于5V；
b） 量程：分五檔，20μA、200μA、2mA、20mA、200mA；
c） 電流輸出的基本誤差：0.03%RD±0.02%FS（20±2℃）；其中50~200mA為0.05%RD±0.02%FS。
直流電壓源
a） 電壓輸出范圍：5μV~50V，負載電流不小于10mA（20mV以上）；
b） 量程：分五檔，20mV、200mV、2V、20V、50V，每檔均有粗調和細調；
c） 電壓輸出的基本誤差：0.05%RD±0.02%FS（20±2℃）。
數字電壓表（4½LED）利用電壓源部分“取樣”端可對被測電壓進行測試
a） 測量量程 20mV，200mV，2V，20V，200V
b） zui高分辨力 可達1µV
c） 基本誤差為 0.03%RD±0.02%FS （20±2ºC）
SB120/2四探針樣品平臺（詳見該產品使用說明書）
為被測薄膜樣品，利用四探針測量方式測量導體/半導體樣品的電阻和電阻率，提供了方便。