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脈沖激光沉積鍍膜系統(tǒng)(PLD)
儀器簡介:
PLD是將脈沖激光透過合成石英窗導(dǎo)入真空腔內(nèi)照射到成膜靶上,靶被照射后吸收高密度能量而形成的plume狀等離子體狀態(tài),然后被堆積到設(shè)在對面的基板上而成膜。PLD方法可以獲得擁有熱力學(xué)理論上準(zhǔn)穩(wěn)定狀態(tài)的組成和構(gòu)造的人工合成新材料。
我們PLD系統(tǒng)擁有好的性能價比,具有以下優(yōu)異的性能:
主真空室腔體直徑18英寸,本底真空可達高真空:9X10E-9 Torr(要用Load-lock)。
主真空室抽氣系統(tǒng)前級泵采用無油干泵
★基片加熱溫度最高可達1000℃。
基片臺可360度旋轉(zhuǎn)(轉(zhuǎn)速1-20rpm可調(diào))。
★基片與靶之間方位采用靶在下方,基片在上方,均水平放置。基片與靶間距沿Z軸(即垂直地面方向)可調(diào)。
8個裝1英寸靶的坩堝(或靶盤),各坩堝之間要求相互隔離,不互相污染。
★激光器:Coherent 公司COMPexPro 201:Wavelength: 248 nm (KrF);Pulse Energy:700mJ;Max. Rep. Rate :10 Hz;Energy stability (one sigma) : 1%; Average Power: 5W;Pulse Duration: 25 ns;Beam Dimensions(V×H): 24×10 mm;Beam Divergence(V×H): 3×1 mrad.
★ Dual Load Lock System, 兩次裝樣-送樣系統(tǒng),高效保證傳片精準(zhǔn)
設(shè)備及光學(xué)臺可聯(lián)接在一起,始終保持腔體和激光束位置穩(wěn)定。支撐腿帶可調(diào)節(jié)的轉(zhuǎn)輪,方便在地面整體(包括腔體系統(tǒng)和激光器)同時移動與固定。
感謝上海交通大學(xué) 使用此研究級高性能的PLD系統(tǒng)(購買5套), 望我們高性能價格比的PLD為廣大科研人員提供幫助!!
脈沖激光沉積鍍膜系統(tǒng)(PLD)
具體配置:
一, 超高真空腔體
二, 分子泵
三, 激光掃描系統(tǒng)
四, 襯底加熱鉑金片,最高可達1200度
五,基板加熱構(gòu)造設(shè)計
六, 基板加熱電源
七, Rheed
八, Rheed軟件
九, 多靶位 ,標(biāo)準(zhǔn)配置6個1英寸靶
十,Load-Lock樣品傳輸腔體
技術(shù)參數(shù):
一, 靶。
數(shù)量6個,大小1-2英寸,被激光照射時可自動旋轉(zhuǎn),靶的選擇可通過步進電機控制。
二, 基板。
采用適合于氧氣環(huán)境鉑金加熱片,大小2英寸,加熱溫度可達1200攝氏度,溫度差<3%,加熱時基板可旋轉(zhuǎn),工作環(huán)境最大壓力是300mtorr。
三, 基板加熱電源。
四, 超高真空成膜室腔體。
不銹鋼sus304材質(zhì),內(nèi)表面電解拋光,本底真空度<5e-7 pa。
五, 樣品傳輸室。
不銹鋼sus304材質(zhì),內(nèi)表面電解拋光,本底真空度<5e-5 pa。
六, 排氣系統(tǒng)。
分子泵和干式機械泵,進口品牌。
七, 閥門。
采用超高真空擋板閥。
八, 真空檢測。
真空計采用進口產(chǎn)品
九, 氣路兩套。
采用氣體流量計(MFC)。
十, 薄膜成長監(jiān)控系統(tǒng)。
采用掃描型Rheed(可差分抽氣)。
十一, 監(jiān)控軟件系統(tǒng)。
基板溫度的監(jiān)控和設(shè)定,基板和靶的旋轉(zhuǎn),靶的更換。
十二, 各種電流導(dǎo)入及測溫端子。
十三, 其它各種構(gòu)造
各種超高真空位移臺,磁力傳輸桿,超高真空法蘭,超高真空密封墊圈,超高真空用波紋管等。
另外我公司注重發(fā)展和銷售大面積的PLD 系統(tǒng)和電子束蒸發(fā)器和濺射沉積。目前,公司提供以下物理氣相沉積系統(tǒng)和元件產(chǎn)品:
? 大面積脈沖激光沉積系統(tǒng)
? 脈沖激光沉積元件包括靶材操縱器和智能窗
? 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)
? 磁控和/或離子束濺射系統(tǒng)
? 組合沉積系統(tǒng)
? 定制的基底加熱器
產(chǎn)品具有如下基本特點:
1. 系統(tǒng)可根據(jù)客戶的特殊要求設(shè)計,操作簡單方便。可使用大尺寸靶材生長大面積薄膜,基底的尺寸直徑可從50mm 到200mm
2. 電拋光腔體,主腔呈方形,其前部是鉸鏈門,方便更換基底和靶材
3. 雙軸磁性耦合旋轉(zhuǎn)靶材操縱器,可手動或計算機控制選定靶材。磁力桿傳送基底到基底旋轉(zhuǎn)器上,可手動或電動降低旋轉(zhuǎn)器,實現(xiàn)簡單快速地更換
4. 主腔室預(yù)留備用的腔口,如用于觀察靶材和基底,安裝原子吸收或發(fā)射光譜儀、原位橢偏儀、離子槍或磁控濺射源、殘留氣體分析器和離子探針或其他的元件等等
5. 系統(tǒng)使用程序化的成像鏈(Optical Train) ,包括聚焦透鏡、反射鏡臺、動力反射鏡支撐架和智能視窗等,無需頻繁地校準(zhǔn)光學(xué)組件。在激光通過大直徑靶材時可使其光柵掃描化(rastering),以獲得均勻性的薄膜。智能視窗不僅可精確監(jiān)視沉積過程中的靶材激光注入量(OTLF),而且可長時間保持激光束光路的清潔
6. 系統(tǒng)使用*的黑體基底加熱設(shè)計,高溫下(950°C)可與銀膠兼容使用
根據(jù)PLD 客戶的不同需求,提供以下型號:
1.NANO PLD
2.PLD 3000
3.PLD 5000
4.PLD 8000
5.PLD T100
其中NANO PLD 系統(tǒng)簡單、緊湊,具有多種功能,非常適合小型的研發(fā)實驗室,大面積 PLD 系統(tǒng)包括PLD 3000,PLD5000,PLD8000 非常適合于大的公共機構(gòu),政府實驗室和國防機構(gòu)的研發(fā)和試制生產(chǎn)。PLD T100 系統(tǒng)也就是高溫超導(dǎo)帶涂層系統(tǒng)非常適合于生產(chǎn)高溫超導(dǎo)帶和線纜,目前已有兩套系統(tǒng)賣到日本國際超導(dǎo)產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究中心超導(dǎo)工學(xué)研究所(SRL-ISTEC),而且在高溫超導(dǎo)線纜中獲得了記錄電流密度,創(chuàng)高溫超導(dǎo)線材創(chuàng)新記錄。
大面積PLD 的每個系統(tǒng)的具體一些參數(shù)如下:
系統(tǒng) | 最大基底尺寸 | 靶材數(shù)目 | 靶材尺寸 | 最大基底溫度 | 溫度的均勻性 | 靶材和基底 之間的最大距離 |
Nano-PLD | 2 inches (50 mm) | 3 | 2 inch (75mm) | 850°C/950°C | ±4°C | 100mm |
PLD3000 | 3 inches (75mm) | 3 | 4 inch (100 mm) | 850°C/950°C | ±3°C | 127mm |
PLD5000 | 5 inches(125mm) | 3 | 6 inch (150mm) | 850°C/950°C | ±4°C | 152mm |
PLD8000 | 8 inches(200mm) | 3 | 12 inch(300mm) | 750°C/800°C | ±7°C | 203mm |
這些型號的設(shè)備適用于以下的客戶群:
1) 高溫超導(dǎo)研發(fā)-----合成新的高溫超導(dǎo)材料或者微調(diào)高溫超導(dǎo)材料
2) 高溫超導(dǎo)工業(yè)研發(fā)-----高溫超導(dǎo)線纜和帶沉積,移動通信的微波過濾器,電力分配網(wǎng)的錯誤電流限制器,超導(dǎo)磁能存儲器(SMES),超導(dǎo)量子干涉磁量儀元素制作,超導(dǎo)電子配件,磁共振成像應(yīng)用,磁懸浮如火車
3) 鐵電材料和設(shè)備-----使用大面積的PLD 研發(fā)
4) 電-光和光學(xué)材料-----電鍍鉻材料,電-光材料如PLZT, BST 等
5) 電介材料---如AlN 薄膜
6) 硬質(zhì)薄膜----如TiCxN(1-x) 薄膜
7) 透明導(dǎo)電氧化物 (TCO) 沉積
8) 測輻射熱敏元素生產(chǎn)商----用于熱跟蹤的熱探測,熱成像,熱度量衡等
9) 制備新材料特別是功能陶瓷
10) 制備納米粒子
11) 基質(zhì)輔助脈沖激光蒸發(fā)(MAPLE)聚合物薄膜
12) 制備用于MRAMs 和錄音磁頭上GMR 的鐵磁材料等
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