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霍爾效應測量系統 L79/HCS
  • 霍爾效應測量系統 L79/HCS
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貨物所在地:上海上海市

更新時間:2024-11-30 21:00:07

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霍爾效應測量系統 L79/HCS
L79/HCS系統可用于半導體組件性能表征,包括:遷移率,電阻率,載流子濃度和霍爾常數。

基本型提供不同形狀和溫度條件下所需的樣品支架。選配低溫(液氮)附件結合高溫爐(zui高溫度可達240°C)可保證所有應用領域環境條件下的測試。永磁體和電磁鐵可提供高達數個特斯拉強度的固定或者可變磁場。

基于測量軟件可顯示的視窗內容包括I-V  I-R 數據圖.

系統可測試多種材料包括Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N 型或P型均可測量), 金屬膜, 氧化物等. 樣品測試時便可完成系統功能演示

 

特點

• 載流子濃度

• 電阻率

• 遷移率

• 電導率

• α (水平電阻值/垂直電阻值)

• 霍爾常數

• 磁致電阻

 

輸入電流:500nA  10mA (500nA 步長)
霍爾電壓:0.5  4.5V
極限分辨率:65pV
樣品形狀:15x15, 20x20, 25x25mm, 高度可達 5mm
磁場強度:可達 1T
傳感器:液氮溫度到 240°C

 

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