主要特性與技術(shù)指標(biāo)

• 108 dB 的動態(tài)范圍，<0.006 dB 跡線噪聲

• <9 微秒/點(diǎn)的測量速度，32 個通道，16,001 點(diǎn)

• 支持 TRL/LRM 校準(zhǔn)、晶片上、夾具內(nèi)和波導(dǎo)測量

主要特性與技術(shù)指標(biāo)

• 108 dB 的動態(tài)范圍，<0.006 dB 跡線噪聲

• <9 微秒/點(diǎn)的測量速度，32 個通道，16,001 點(diǎn)

• 支持 TRL/LRM 校準(zhǔn)、晶片上、夾具內(nèi)和波導(dǎo)測量

主要特性與技術(shù)指標(biāo)

• 108 dB 的動態(tài)范圍，<0.006 dB 跡線噪聲

• <9 微秒/點(diǎn)的測量速度，32 個通道，16,001 點(diǎn)

• 支持 TRL/LRM 校準(zhǔn)、晶片上、夾具內(nèi)和波導(dǎo)測量

主要特性與技術(shù)指標(biāo)

• 108 dB 的動態(tài)范圍，<0.006 dB 跡線噪聲

• <9 微秒/點(diǎn)的測量速度，32 個通道，16,001 點(diǎn)

• 支持 TRL/LRM 校準(zhǔn)、晶片上、夾具內(nèi)和波導(dǎo)測量

主要特性與技術(shù)指標(biāo)

• 108 dB 的動態(tài)范圍，<0.006 dB 跡線噪聲

• <9 微秒/點(diǎn)的測量速度，32 個通道，16,001 點(diǎn)

• 支持 TRL/LRM 校準(zhǔn)、晶片上、夾具內(nèi)和波導(dǎo)測量