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國產顯微鏡攝像頭——科研級數字相機 參考價：面議
國產顯微鏡攝像頭——科研級數字相機朗研顯微鏡攝像頭VTX12/VTX20，屬于科研級數字相機，即使在低放大倍率下，VTX12/VTX20攝像頭也能實現 高幀頻和...
結合橢偏反射 參考價：面議
結合橢偏反射性能優異的多角度手動角度計和角度精度*的激光橢偏儀允許測量單層薄膜和層疊膜的折射率、消光系數和膜厚。
多角度激光橢偏儀 參考價：面議
多角度激光橢偏儀性能優異的多角度手動角度計和角度精度*的激光橢偏儀允許測量單層薄膜和層疊膜的折射率、消光系數和膜厚。
自動光譜橢偏儀SENDURO® 參考價：面議
自動光譜橢偏儀SENDURO®所有的全自動光譜橢偏免除了用戶根據高度和傾斜度手動地對準樣品的麻煩，這對于高精度和可重復的光譜橢偏是必要的。
紅外光譜橢偏儀SENDIRA 參考價：面議
紅外光譜橢偏儀SENDIRA利用紅外光譜中分子振動模的吸收帶，可以分析薄膜的組成。此外，載流子濃度可以用傅立葉紅外光譜儀FTIR測量。
低成本高效益的光譜橢偏儀SENpro 參考價：面議
低成本高效益的光譜橢偏儀SENpro覆蓋寬的光譜范圍，從190 nm(深紫外)到3500 nm(近紅外)。傅立葉紅外光譜儀FTIR提供了高光譜分辨率用以分析厚度...
PECVD等離子沉積設備DEPOLAB 200 參考價：面議
PECVD等離子沉積設備DEPOLAB 200根據其模塊化設計，PECVD Depolab 200可升級為更大的真空泵組，低頻射頻源和更多的氣路。
帶預真空室的化學氣相沉積設備SI 500 PPD 參考價：面議
帶預真空室的化學氣相沉積設備SI 500 PPD的特色是預真空室和干泵裝置，用于無油、高產量和潔凈的化學氣相沉積過程。
等離子沉積設備SI 500 D 參考價：面議
等離子沉積設備SI 500 D低刻蝕速率，高擊穿電壓，低應力、不損傷襯底以及在低于100°C的沉積溫度下的低界面態密度，使得所沉積的薄膜具有優異的性能...
RIE等離子刻蝕機SI 591 參考價：面議
RIE等離子刻蝕機SI 591：預真空室和計算機控制的等離子體刻蝕工藝條件，使得SI 591 具有優異的工藝再現性和等離子體蝕刻工藝靈活性。靈活性、模塊性和占地...
等離子刻蝕機 參考價：面議
RIE Etchlab 200等離子刻蝕機根據其模塊化設計，等離子蝕刻機Etchlab 200可升級為更大的真空泵組，預真空室和更多的氣路。
等離子刻蝕機 參考價：面議
等離子刻蝕機由于離子能量低，離子能量分布帶寬窄，因此可以用我們的等離子體刻蝕機SI 500進行低損傷刻蝕和納米結構的刻蝕。
熱分析-紅外-氣質聯用系統 參考價：面議
熱分析-紅外-氣質聯用系統介紹：珀金埃爾默提供完善的產品和技術服務，可將不同產品聯合使用，充分利用各個 儀器的優勢，產生協同效應，達到單次試驗獲得多個結果的目的...
紅外成像系統 參考價：面議
紅外成像系統介紹：Spotlight400/400NFT-IR紅外光譜化學成像系統以高效率享譽業界的實驗室傅里葉變換紅外光譜化學成像系統，在廣泛的行業里顯著地提...
三重四級桿液相色譜質譜聯用儀 參考價：面議
QSight三重四級桿液相色譜質譜聯用儀介紹：QSightTM三重四極桿液質聯用儀具有層流質譜技術和加熱誘導脫溶劑技術（HSIDTM），性能穩定抗污染，非常適用...
氣相色譜儀 參考價：面議
Clarus氣相色譜儀介紹：作為珀金埃爾默多種多樣的氣相色譜系列產品的基礎，Clarus®690/590氣相色譜儀代表了行業內先進的技術革新。擁有配置...
全自動熱脫附儀 參考價：面議
urboMatrix全自動熱脫附儀介紹：作為熱脫附（TD）技術的行業，珀金埃爾默除了可提供五種不同的配置儀器，還可以提供在線VOC分析的全套設備，還可以在采集前...
全自動頂空進樣器 參考價：面議
全自動頂空進樣器介紹：TurboMatrix頂空和帶捕集阱頂空自動進樣器TurboMatrix頂空和捕集阱頂空能夠提供的精度、靈敏度和分析效率。是尋求快速樣品處...
氣相色譜/質譜聯用儀 參考價：面議
氣相色譜/質譜聯用儀介紹：珀金埃爾默推出的GCMS 2400™ System，為各種類型和規模的實驗室提供了兼具優異靈敏度和穩定性的先 進工具。
蔡司共聚焦顯微鏡 參考價：面議
蔡司共聚焦顯微鏡的多功能 Smartproof 5 快速轉盤共聚焦顯微鏡是用于表面分析的集成系統：快速，精確，可重復。可用于各種工業應用——比如粗糙度分析和地形...
化學氣相沉積系統 參考價：面議
化學氣相沉積系統PECVD沉積設備SI 500 PPD便于在從室溫到350℃的溫度范圍內進行SiO2、SiNx、SiOxNy和a-Si的標準的化學氣相沉積工藝。
深硅刻蝕 參考價：面議
進口深硅刻蝕：三螺旋平行板天線(PTSA)等離子源是SENTECH等離子體工藝設備的屬性。PTSA源能生成具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體。它具有高耦合...
沉積系統 參考價：面議
三到六個端口傳送腔室可用于集成ICP等離子刻蝕機、RIE刻蝕機、原子層沉積系統、PECVD和ICPECVD沉積設備，以滿足研發的要求。樣品可以通過預真空室和/或...
刻蝕系統 參考價：面議
刻蝕系統三到六個端口傳送腔室可用于集成ICP等離子刻蝕機、RIE刻蝕機、原子層沉積系統、PECVD和ICPECVD沉積設備，以滿足研發的要求。樣品可以通過預真空...
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