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美利用石墨烯研制出晶體管 開關頻率提高1000倍
閱讀:232 發布時間:2013-8-26提 供 商 | 上海撫生實業有限公司 | 資料大小 | 23.1KB |
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美利用石墨烯研制出晶體管 開關頻率提高1000倍
綜合外電2報道,美國科學家使用世界上zui纖薄的材料——石墨烯研制出一種晶體管,新晶體管擁有創紀錄的開關性能,將開關頻率提高了1000多倍,這使得其可以廣泛應用于未來的電子設備和計算機中,使其功能更強,性能更優異。
美國南安普敦大學納米研究小組的扎卡里亞·摩卡塔德博士將石墨烯設置成二維的蜂巢結構,并由此出了該石墨烯場效應晶體管(GFETs),該晶體管擁有一個*的管道結構,相關研究發表在《電子快報》雜志上。
摩卡塔德表示,硅互補金屬氧化物半導體(CMOS)的尺寸不斷縮減,正在逼近其極限,因此需要找到合適的替代物,而在電子領域,石墨烯有望取代硅,至少能同硅集成在一起使用,但石墨烯固有的物理特性使其很難切斷電流。該納米研究小組的主任希羅斯·米祖塔說:“有很多科學家在殫精竭慮地進行研究,試圖切斷GFETs的管道,但目前的方法要么要求管道的寬度小于10納米,要么需要在雙層石墨烯層上垂直施加超高的電壓,這使得通過這些方法得到的開關頻率都無法達到實際應用需要的標準。”
摩卡塔德研究發現,通過在雙層石墨烯納米線中引入幾何形狀(比如彎管和邊角等),可以有效地切斷電流。米祖塔表示,摩卡塔德研制出的晶體管將開關頻率提高了1000多倍。
該校電子和計算機科學系主任哈維·魯特表示:“這是一個重要的突破,其對下一代計算機、通訊和電子設備的具有重要意義,借此,我們可以超越目前已有的CMOS技術,出更加的晶體管。將幾何形狀引入石墨烯管道內是一個新想法,該方法在讓GFETs保持結構簡單的同時獲得的性能,因此,可以很容易實現商業化。”
摩卡塔德現正在進行更進一步的研究,以了解致使電流在該石墨烯晶體管管道內停止流動的機制。
美利用石墨烯研制出晶體管 開關頻率提高1000倍