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Optitherm lll發射率自動測量儀

美國*！

簡要描述：

在CVD、MBE和MOCVD反應過程中，Optitherm lll 發射率自動測量系統通過光纖鏡頭和的脈沖激光器可以精確地測量單個或多個晶片的溫度 。

Optitherm lll 可以監測著被測光潔材料的不斷變化的發射率，從而使得紅外測溫設備可以達到±3℃的精度。該主動式測量技術不同于傳統的被動式測量技術。

    Optitherm lll 通過主動式反射測量技術得到目標的發射率(E%)，從而得到目標的實際溫度(Te)。當接收測量紅外輻射時,在同一時間,位置,波段自動測量被測物光潔表面的反射,獲得準確的實際溫度。微處理器以極快的速度(1ms)將這些值傳遞給PC，PC快速計算并記錄下目標的實際溫度，從而實現即時的過程控制。

   Optitherm lll 可以應用在各種各樣的應用中，如：生產制造、芯片加工或研究與開發等其他一系列與精確溫度測量方面的應用。

技術：

Optitherm lll 使用了技術,基于紅外技術的激光來測量目標的發射率及真實溫度。

一個低功率的砷化鎵脈沖激光器發出脈沖激光，通過特定的光路(激光通道)發射到被測目標上的測量區域，激光反射信號和紅外輻射信號通過另一個光路(輻射通道)返回。激光信號(AC)在目標信號(DC)之上。監控發出的激光能量并加上幾何因素(包括測量距離)，Optitherm lll 可以得到被測目標的反射率及發射率。測量過程中，僅接收目標輻射出的以激光波段為中心的非常窄的帶寬的波段，這使其可以在特殊應用中得到zui高的精度。

Optitherm lll 內置了5種操作模式：遠程控制模式，由PC通過命令操作和控制；自動模式，在一定時間內持續輸出數據，時間可調；單一模式，僅適用其溫度測量功能；間隔模式，在特定的時間定序內測量；離線模式，用于安裝和校準功能。

• 參數設置：< >紅外輻射和發射率的自動測量溫度范圍: 250°C- 1500°C溫度精度: ±3°C6 個波段可選:808、850、905、940、980和 1550nm

   

  < >數據采樣率zui快可達 1 ms數字接口： RS232每秒鐘向PC端輸出70個讀數測量光斑zui小可達0.25"，大小可調

   

  實際應用：

   半導體薄片溫度測量

    晶片的生產和研發

    光潔表面的測量

    反應過程的溫度測量:

  CVD 反應器

  MBE 反應器

  MOCVD 反應器

   

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  了解Optitherm lll更多信息及價格，請致電：,52966697     

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