18926463275
當前位置：> 供求商機> 硫族化合物晶體
硫族化合物晶體
Badikov大尺寸硫化物晶體，硫族化合物晶體
BaGa4Se7晶體
采用Bridgman-Stockbarger方法在實驗室中生長了BaGa4S7(BGS)晶體，獲得了其含Se的類似物BaGa4Se7(BGSe)，其尺寸大到足以測量色散系數和折射系數，這是預測相位相互作用特性的先決條件。
Badikov的晶體實驗室具有50多年的硫族化合物晶體的生產經驗，以及超過30年的非線性激光晶體，硫化物非線性晶體的商業供應經驗。團隊已開發出*的培養技術，大型高質量晶體已準備好用于商業供應：BaGa4Se7，BaGa4S7，BaGa2GeSe6，BaGa2GeS6，Ba2Ga8GeS16。Badikov是大尺寸HgGa2S4晶體的制造商。您也可以訂Hg1-xCdxGa2S4晶體。還生長了以下具有高光學質量的元素：Ag3AsS3，Ag3SbS3，AgGaS2，AgGaSe2，AgGa1-x InxS2，AgGaxIn1-xSe2，AgGaGeS4，AgGaGe5Se12，HgGa2S4，Hg1-xCdxGa2S4，PbIn6Te10，PbGa6Te10，Pb1-xCaxIn6Te10，Tl4HgI6，PbGa2GeSe6，GaSe等。團隊可以根據用戶的研究任務，對單晶生長技術的發展進行研究，并合成任何數量的硫化物晶體。我們一直在尋找和開發新的晶體。現在已經生長出了尚未研究或尚未研究的晶體，例如：HgIn2Se4、HgIn2S4、Fe2In2Te5、Fe2Mn2Se5。
AgGaS2晶體簡介
AgGaS2晶體是常見的硫化物晶體，通常用來二倍頻和三波混頻。用適合的光源進行泵浦，基于這類硫化物非線性晶體的參量振蕩可以產生光譜范圍1~10微米的波長連續可調諧的激光。高質量的非線性晶體AgGaS2和其較長的尺寸使實現高轉換效率變得可能。用摻Nd的YAG激光器（1064nm）的單皮秒脈沖泵浦AgGaS2的參量發生已被證實覆蓋了2.2~7.4微米范圍。由于非共線雙晶結構，比之前報道過的（在該光譜范圍用皮秒脈沖泵浦的光學參量振蕩）更高的轉換效率已經可以實現了。而且基于單個的AgGaS2晶體的雙通的OPO也實現了。該器件與雙晶OPO相比，在不損失轉換效率的情況下具有一定優勢。
HgGa2S4晶體簡介
我們在生長HgGa2S4硫化物晶體等非線性晶體方面占有明顯地位。高的激光損傷閾值和高轉換效率使得這些晶體可以用于1.0~10 um的波長范圍內的倍頻和OPO/OPA。據證實，CO2激光器用4mm長的HgGa2S4晶體進行二倍頻的量子轉換效率為10%（脈寬30ns，輻射功率密度60MW/cm2）。高轉換效率和寬波長可調諧發射譜使得HgGa2S4
具有與AgGaS2，AgGaSe2，ZnGeP2和GaSe晶體競爭的實力，盡管生長大尺寸的HgGa2S4具有一定難度。
硫族化合物晶體
請輸入賬號
請輸入密碼
請輸驗證碼
以上信息由企業自行提供，信息內容的真實性、準確性和合法性由相關企業負責，化工儀器網對此不承擔任何保證責任。
溫馨提示：為規避購買風險，建議您在購買產品前務必確認供應商資質及產品質量。
