WS2/Graphene異質(zhì)結(jié) 二硫化鎢/石墨烯薄膜

西安齊岳生物科技有限公司是做二維材料的供應(yīng)商；2020年新研究出了一系列的異質(zhì)結(jié)材料：MoS2/WS2/hBN/Graphene異質(zhì)結(jié)、MX2/MX2/hBN/石墨烯異質(zhì)結(jié)、MX2/hBN異質(zhì)結(jié)、MX2/石墨烯異質(zhì)結(jié)、MoS2/WS2轉(zhuǎn)角異質(zhì)結(jié)(WSe2,MoSe2)、MX2/GrapheneMoS2/Graphene、WS2/Graphene、MoS2/WS2/hBN/Graphene、MoSe2/GrapheneWSe2/GraphenePtSe2/GrapheneReS2/GrapheneReSe2/GrapheneSnS2/Graphene、SnSe2/Graphene、MX2/hBN、MoS2/hBN、WS2/hBN、MoSe2/hBN、WSe2/hBN、PtSe2/hBN、ReS2/hBN、ReSe2/hBN、SnS2/hBN、SnSe2/hBN、MX2/MX2/hBN/Graphene、MoS2/WS2、MoS2/WSe2、MoS2/MoSe2、WS2/WSe2、MoS2/WS2/MoS2/WS2、MoS2/hBN/Graphene異質(zhì)結(jié)等材料,(SiO2/Si基底、石英基底、PET基底、藍(lán)寶石基底可選)。

WS2/Graphene異質(zhì)結(jié) 二硫化鎢/石墨烯薄膜

異質(zhì)結(jié)，兩種不同的半導(dǎo)體相接觸所形成的界面區(qū)域。按照兩種材料的導(dǎo)電類(lèi)型不同，異質(zhì)結(jié)可分為同型異質(zhì)結(jié)（P-p結(jié)或N-n結(jié)）和異型異質(zhì)(P-n或p-N)結(jié)，多層異質(zhì)結(jié)稱為異質(zhì)結(jié)構(gòu)。通常形成異質(zhì)結(jié)的條件是：兩種半導(dǎo)體有相似的晶體結(jié)構(gòu)、相近的原子間距和熱膨脹系數(shù)。利用界面合金、外延生長(zhǎng)、真空淀積等，都可以制造異質(zhì)結(jié)。異質(zhì)結(jié)常具有兩種半導(dǎo)體各自的PN結(jié)能的的光電性質(zhì)，使它適宜于制作開(kāi)關(guān)器件、太陽(yáng)能電池以及半導(dǎo)體激光器等。

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n_ZnO_i_MgO_p_GaN異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管
TiO2/Fe2O3異質(zhì)結(jié)薄膜
p-Cu2O/n-TiO2異質(zhì)結(jié)
ZnO/In2O3納米異質(zhì)結(jié)
NiO(CoO)/N—SrTiO3異質(zhì)結(jié)
二維光子晶體異質(zhì)結(jié)Order-N
ZnO/p-Si異質(zhì)結(jié)
AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)
異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的納米AgBr/TiO2復(fù)合可見(jiàn)光催化劑
p-AlGa1-xN/i-GaN/n-GaN異質(zhì)結(jié)
Si/SiGe/Si雙異質(zhì)結(jié)晶體管
SiC_(1-x) Ge_x/SiC異質(zhì)結(jié)
Ga As/ Alx Ga1 - x As單異質(zhì)結(jié)
SiGe HBT(異質(zhì)結(jié)雙極晶體管)
n-nc-Si:H/p-c-Si異質(zhì)結(jié)
CuS/TiO_2納米管異質(zhì)結(jié)陣列

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