CVD石英藍寶石基底PdSe2/PtSe2二硒化鈀薄膜

定制基底PtSe2
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西安齊岳生物供應CVD-WS2-WSe2面內異質結、CVD-多層BN薄膜、CVD-MOS2 連續薄膜、CVD-MoS2少層薄膜、CVD-單層BN薄膜、MOS2/WS2異質結、MOS2/WSe2異質結、CVD-三維鎳基BN泡沫、M1相二氧化釩VO2單晶薄膜、三氧化二釩V2O3單晶薄膜、機械剝離單層MoS2、機械剝離單層WS2、高導電石墨烯 （8-15um）

CVD石英藍寶石基底PdSe2/PtSe2二硒化鈀薄膜

產品描述：

塊狀PdSe2（鈀二硒化物）具有30mev的帶隙，增加到1.43ev的間接帶隙（理論上）。與其他tmdc相比，PdSe2具有一種不尋常的結構：Pd原子與四個Se原子配位，形成一個正方形的骨架晶格。近的研究還表明，PdSe2單分子膜立即發生PdSe2到Pd2Se3的晶體轉變。由于鈀原子的大量存在，PdSe2在理論和實驗上都被證明是具有催化活性的材料，其基礎研究仍處于起步階段。

生長方法的重要性>通量區還是CVT生長方法？層狀晶體中鹵化物和點缺陷的污染是其電子遷移率降低、e-h復合不良、低PL發射和低光吸收的*的原因。磁通區是一種用于合成真正半導體級vdW晶體的無鹵化物。該方法與化學氣相傳輸（CVT）有以下區別：CVT是一種（約2周）生長的方法，但結晶質量差，缺陷濃度達1E11～1e12cm-2。相比之下，熔劑法需要較長的生長時間（約3個月），但可以緩慢結晶以獲得的原子結構，以及缺陷濃度低1E9-1e10cm-2的無雜質晶體生長。因此，如果你的研究需要真正的晶體用于光電子、掃描隧道顯微鏡、光譜學和其他依賴于無缺陷晶體的項目，那么通量區生長是你的選擇。如果您需要催化材料，缺陷的存在通常會有所幫助。在這種情況下，CVT生長晶體更適合催化。

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