由于金屬塊體材料的電阻和金屬薄膜的電阻很低,他們的測(cè)量采用四端接線法。為了滿足實(shí)際的需要,本儀器采用四探針?lè)ㄔ韥?lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)不同金屬、半導(dǎo)體、導(dǎo)電高分子材料的電阻及電阻率的測(cè)量。可用于高校物理教育實(shí)驗(yàn),對(duì)導(dǎo)體/半導(dǎo)體/金屬薄膜材料的電阻及電阻率的測(cè)試及研究。本產(chǎn)品的電阻測(cè)量范圍可達(dá)10-6—106Ω。
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
由于金屬塊體材料的電阻和金屬薄膜的電阻很低,他們的測(cè)量采用四端接線法。為了滿足實(shí)際的需要,本儀器采用四探針?lè)ㄔ韥?lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)不同金屬、半導(dǎo)體、導(dǎo)電高分子材料的電阻及電阻率的測(cè)量。可用于高校物理教育實(shí)驗(yàn),對(duì)導(dǎo)體/半導(dǎo)體/金屬薄膜材料的電阻及電阻率的測(cè)試及研究。本產(chǎn)品的電阻測(cè)量范圍可達(dá)10-6—106Ω。
詳細(xì)介紹
四探針導(dǎo)體半導(dǎo)體電阻率測(cè)量?jī)x 金屬半導(dǎo)體電阻率測(cè)量?jī)x 導(dǎo)體半導(dǎo)體金屬薄膜材料電阻測(cè)試儀
型號(hào)DL-SB100A-2
DL-SB100A/2為原SB100/1及SB100A/1的改進(jìn)型。
由于金屬塊體材料的電阻和金屬薄膜的電阻很低,他們的測(cè)量采用四端接線法。為了滿足實(shí)際的需要,本儀器采用四探針?lè)ㄔ韥?lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)不同金屬、半導(dǎo)體、導(dǎo)電高分子材料的電阻及電阻率的測(cè)量。可用于高校物理教育實(shí)驗(yàn),對(duì)導(dǎo)體/半導(dǎo)體/金屬薄膜材料的電阻及電阻率的測(cè)試及研究。本產(chǎn)品的電阻測(cè)量范圍可達(dá)10-6—106Ω。
(使用環(huán)境5—40℃,相對(duì)濕度<80%,供電220V50Hz,為實(shí)驗(yàn)室環(huán)境使用)
SB100A/2由SB118直流電壓電流源、PZ158A直流數(shù)字電壓表、SB120/2四探針樣品測(cè)試平臺(tái)三部分組成。
lSB118直流電壓電流源:是一臺(tái)4½位的電壓源及電流源,既可輸出5µV—50V,5檔可調(diào)電壓,基本誤差為±(0.1%RD+0.02%FS)又可輸出1nA—100mA,5檔可調(diào)電流,基本誤差為±(0.03%RD+0.02%FS)詳見(jiàn)本公司產(chǎn)品SB118。
lPZ158A直流數(shù)字電壓表:具有6½位字長(zhǎng),0.1μV電壓分辨力的帶單片危機(jī)處理技術(shù)的高精度電子測(cè)量?jī)x器,可測(cè)量0-1000V直流電壓。基本量程的基本誤差為±(0.002%RD+0.0005%FS),詳見(jiàn)本公司產(chǎn)品PZ158A。
lSB120/2四探針樣品測(cè)試平臺(tái):該測(cè)試平臺(tái)SB120/1測(cè)試平臺(tái)的改進(jìn)型。其有底座、支架、旋動(dòng)部件、樣品平臺(tái)、四探針及接線板等組成。由于其整個(gè)結(jié)構(gòu)及旋動(dòng)方式都在原SB120/1的基礎(chǔ)上作了很大的改進(jìn),故在高校的物理實(shí)驗(yàn)及科學(xué)研究總為導(dǎo)體/半導(dǎo)體/金屬薄膜材料的電阻和電阻率的測(cè)試、研究提供了較大的方便。