二手蔡司場發射電鏡SEM+EDX SUPRA25系列產品配備有經過改進的第三代GEMINI®鏡筒、概念新穎的樣品臺、智能化硬件控制板和新型高效率的透鏡內二次電子探測器。SUPRA™系列場發射掃描電子顯微鏡是卡爾蔡司半導體事業部的納米技術系統部向市場推出的功能最多的場發射掃描電子顯微鏡。具有當前儀器所具有的所有特征：如在圖像質量超高分辨率、工作電壓切換方便、出色的束流穩定性、全分析型樣品室。

二手蔡司場發射電鏡SEM+EDX SUPRA25  SUPRA™系列的多種儀器提供了全面的成像解決方案，可滿足半導體、材料分析、藥品制造和生命科學等領域中苛刻的應用要求。對于不導電樣品，采用可變壓力（VP）技術的增強型可變壓力二次電子探測器（VPSE）可以得到的圖像和分析結果。GEMINI®鏡筒具有成像能力，尤其是在工作電壓低于1kV時成像能力尤為出色，這就使得SUPRA™成為適合所有納米科學應用的成像工具。

主要特點：
? 在整個電壓范圍內的超高分辨率，
? 電壓范圍至0.1 kV，所需調整極少,
? 高束流，高穩定性，
? 高效In-lens二次電子檢測器，可實現高分辨率的表面成像，
? 增強型VPSE探測器，可實現不導電試樣的成像
? 基于Windows® XP的SmartSEM™控制軟件，操作簡便

     這是由于在掃描電鏡中，當電子束源源不斷的轟擊到樣品上時，入射電子的電流等于二次電子電流、背散射電子電流、樣品接地電流和荷電電流的總和。對于導電性能好的樣品，入射電子束產生的荷電電荷通過接地導走，不存在表面荷電現象。而對于導電性能不佳的樣品，其接地電流幾乎為零。當樣品表面產生的二次電子和背散射電子的總和小于入射電子數時，樣品表面呈負電位，在負電場的作用下使電子獲得加速，更多的電子被探測器接收到，二次電子圖像發亮;當樣品表面產生的二次電子和背散射電子的總和多于入射電子數時，樣品表面呈正電位，正電場將電子吸引回樣品內，使探測器中接收到的電子數量減少，二次電子圖像呈現局部發黑的現象。如圖1a所示，用場發射掃描電子顯微鏡(FESEM)拍攝不導電的碳纖維形貌，采用10kV的加速電壓，樣品出現了非常嚴重的荷電現象，圖像同時表現出局部發亮和發黑的情況。 

 二手蔡司場發射電鏡SEM+EDX SUPRA25   應用范圍

      目前最常見的減輕荷電現象的方法是通過離子濺射或蒸鍍的方法，在樣品表面沉積或鍍上一層比較均勻、細膩的金屬層，從而增加樣品的導電性。但該方法仍然不能有效解決樣品出現荷電現象的問題，還可能掩蓋樣品的真實結構。場發射掃描電鏡具有良好的發射電流穩定度和優異的低壓圖像質量。一般加速電壓范圍在1kV～30kV分檔或連續可調。加速電壓的高低決定了入射電子束能量的高低，從而影響了入射電子的擴展范圍。使用低加速電壓，由于其電子束能量低、作用范圍小，激發出的二次電子能量少，不僅可以減少對樣品的損傷，還能有效的減少樣品表面荷電現象，更適合觀測不導電樣品。

以上述的碳纖維為例，將加速電壓降至5kV，荷電現象明顯減輕(圖1b)，進一步將加速電壓降至2kV，基本消除了荷電現象(圖1c)。同時，使用低加速電壓時，入射電子與樣品的作用深度較淺，激發出的二次電子主要來源于樣品入射區極表層，更有利于觀察樣品的淺表面結構，對樣品的損傷也較小。