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| 產地類別 | 國產 | 應用領域 | 電子 |
|---|---|---|---|
| 壓降 | 0-2.000V |
詳細介紹
※概述:
?是一種**門用于各種電子元件參數測試的新型多功能測試裝置。該機采用大規模MCU設計
產品簡介
詳細介紹
晶體管參數測試儀 型號：JFY3022A
晶體管參數測試儀
詳細介紹
※概述:
是一種**門用于各種電子元件參數測試的新型多功能測試裝置。該機采用大規模MCU設計,中文界面操作,大容量內存,可存2000種元件參數設置數據.儀器外型美觀、性能穩定、測量準確、操作簡單、使用安全方便,適用電子產品生產廠家或電子元件供應商來料檢測。
※ 測量元件類型:
N型三*管,P型三*管,N型MOS場效應管,P型MOS場效應管N型結型場效應管,正負三端穩壓IC,三端肖特基,基準器431,整流二*管,整流橋堆，可控硅，穩壓二*管.
※ 測量參數:
■ 整流二*管,三端肖特基，整流橋堆:
參數項 | 測試參數 | 測試條件設置 |
正向壓降(VF) | 0-2.000V | 0-2.000A |
耐壓(VRR) | 0-1500V | 0-2.000MA |
■N型三*管:
參數項 | 測試參數 | 測試條件設置 |
輸入正向壓降(VBE) | 0-2.000V | 0-2.000A |
耐壓(BVCEO) | 0-1500V | 0-2.000MA |
放大倍數(HEF) | 0-3000 | VCE:0-20V IC:0-2.000A |
飽和壓降(Vsat) | 0-2.000V | IB:0-2.00A IC:0-2.00A |
■P型三*管:
參數項 | 測試參數 | 測試條件設置 |
輸入正向壓降(VBE) | 0-2.000V | 0-2.000A |
耐壓(BVCEO) | 0-1500V | 0-2.000MA |
放大倍數(HEF) | 0-3000 | VCE:5.0V IB:100uA |
飽和壓降(Vsat) | 0-2.000V | IB:0-2.00A IC:0-2.00A |
N,P型MOS場效應管:
參數項 | 測試參數 | 測試條件設置 |
啟動電壓(VGS(th)) | 0-20.00V | 0-2.000mA |
耐壓(BVCEO) | 0-1500V | 0-2.000mA |
導通內阻(Rson) | 0.1Mr-200R | Vgs:0-20V Id:0-2.000A |
單雙向可控硅:
參數項 | 測試參數 | 測試條件設置 |
觸發電流(IGT) | 0-40.MA | VD=0-20V,ID=0-2.000A |
觸發電壓(VGT) | 0-2.000V | VD=0-20V,ID=0-2.000A |
耐壓(VDRM VRRM) | 0-1500V | 0-2.000mA |
通態壓降(VTM) | 0-2.000V | IT:0-2.00A |
三端穩壓IC:
參數項 | 測試參數 | 測試條件設置 |
輸出電壓(Vo) | 0-20.00V | Vin:0-20V Io:0-2.00A |
基準IC 431:
參數項 | 測試參數 | 測試條件設置 |
輸出電壓(Vo) | 0-20.00V | IZ:0-200mA |
■ 穩壓二*管:
參數項 | 測試參數 | 測試條件設置 |
穩壓值(VZ) | 0-20V | 0-100MA |
穩壓值(VZ) | 20-200V | 0-2.000MA |
