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簡介：摻鈮鈦酸鍶（Nb:SiTiO3）單晶不僅與鈦酸鍶有相似的結構，還有電導性。它的電阻率隨著摻鈮濃度（0.1～0.001wt%）在0.1～0.001W-cm之間變化，傳導的單晶基片為薄膜和器件提供了電極。
性能及參數 | ||||
生長方法 | 熔焰法 | |||
晶體結構 | 立方 | |||
晶格常數 | a =3.905 Å | |||
級別 | A | B | C | D |
摻鈮濃度（wt%） | 1.0 | 0.7 | 0.5 | 0.1 |
電阻率ohm-cm | 0.0035 | 0.0070 | 0.05 | 0.08 |
遷移率cm2/vs | 9.0 | 8.5 | 8.5 | 6.5 |
顏色及外觀 | 黑色 | |||
化學穩定性 | 穩定性好不溶于水 | |||
莫氏硬度 | 6mohs | |||
正切損耗 | ～5×10-4 @300k）， ～3×10-4 @77k） | |||
晶向 | <100>、<110>、<111> | |||
晶面定向精度 | ±0.5° | |||
邊緣定向精度 | ±1° | |||
斜切晶片 | 可按照客戶需求，定制特殊方向 | |||
尺寸（可按照客戶需求，定制特殊尺寸） | 10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm等 | |||
/ | ||||
拋光 | 單面拋光、雙面拋光 | |||
表面粗糙度 | ＜5 Å | |||
包裝 | 1000級超級凈室100級超凈袋或單片晶盒封裝 | |||
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