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當前位置：> 供求商機> LFT1400C 800D802Z-ZnO納米材料生長
一、設備特點
碳納米膜制備設備由氣體質量流量計控制系統、液體注液系統、多段溫度可控多區生長系統、水冷卻系統、碳納米線或膜收集系統，紅外烘干系統等組成。生長爐的最高溫度1400℃，并可在0-1400℃之間連續可調，垂直式分布熱場，三點控溫(三段長度平均分配)，設備頂部設有注液口、導流器。爐體采用雙層殼體結構并帶有風冷系統，保溫材料為加厚型，殼體表面溫度小于60℃。采用高純氧化鋁管作為爐膛材料，加熱元件為優質硅碳棒。測溫采用適用于高溫環境的“S"型熱電偶，直接和式樣接觸，以提高控溫的精確性。本款碳納米管或膜CVD設備可以實現連續生長不間斷的特點。
二、技術參數
型號 | LFT1400C 800D802Z |
額定功率 | 20KW（參考） |
額定電壓 | AC220V 50/60HZ |
最高溫度 | 1400℃ |
額定溫度 | 1300℃ |
推薦升溫速率 | 200℃以下≤5℃/min，200-1400℃以下≤10℃/min，1400℃到1600℃≤5℃/min |
爐管尺寸 （可根據客戶要求訂制） | Φ80× 1400mm（剛玉管） |
控溫精度 | ±1℃ |
極限真空度（選件） | 1.0×10-3Pa（機械泵+分子泵） |
加熱元件 | 硅碳棒 |
重量 | 230KG（參考） |
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