日立高新超高分辨率場發射掃描電子顯微鏡SU9000是專門為電子束敏感樣品和需最大300萬倍穩定觀察的*半導體器件，高分辨成像所設計。

新的電子槍和電子光學設計提高了低加速電壓性能。

0.4nm / 30kV（SE）

1.2nm / 1kV（SE）

0.34nm / 30kV（STEM）

用改良的高真空性能和電子束穩定性來實現高效率截面觀察。

日立高新超高分辨率場發射掃描電子顯微鏡SU9000采用全新設計的Super E x B能量過濾技術，高效，靈活地收集SE / BSE/ STEM信號。

核心參數
價格區間：500萬-700萬
電子槍種類：冷場發射
二次電子圖象分辨率：0.4nm@30kV,1.2nm@1kV
放大倍數：220~8,000,000
加速電壓：0.5~30kV