在現(xiàn)代化電子行業(yè)生產(chǎn)中，集成電路zui明顯的特征就是:產(chǎn)品的體積,在不斷的縮小.這一變化使得生產(chǎn)過(guò)程中超純水的水質(zhì)要求也愈來(lái)愈高,對(duì)純水器等設(shè)備的要求也就越來(lái)越嚴(yán)格。特別是在電子工廠,潔凈廠房設(shè)計(jì)中純水供應(yīng)是重要內(nèi)容之一，各種電子產(chǎn)品生產(chǎn)工藝對(duì)純水水質(zhì)、水量要求均不相同。
在電子物品生產(chǎn)中,超純水系統(tǒng)應(yīng)根據(jù)原水水質(zhì)和產(chǎn)品生產(chǎn)工藝對(duì)水質(zhì)的要求，結(jié)合系統(tǒng)規(guī)模、材料及設(shè)備供應(yīng)等情況，通過(guò)技術(shù)經(jīng)濟(jì)比較來(lái)選擇。純水系統(tǒng)的原水水質(zhì)因各地區(qū)、城市的水源不同相差很大，有的城市以河水為水源，即使是河水，其河水的源頭和沿途流經(jīng)地區(qū)的地質(zhì)、地貌不同，水質(zhì)也是不同的；有的城市以井水為水源，井的深度不同、地域不同、地質(zhì)構(gòu)造不同均會(huì)千差萬(wàn)別；現(xiàn)在不少城市的水源包括河水、湖水、井水等，有的城市各個(gè)區(qū)、段供水水質(zhì)也不相同。所以純水系統(tǒng)的選擇，根據(jù)原水水質(zhì)的不同，差異很大，是否選擇原水預(yù)處理，預(yù)處理設(shè)備的種類、規(guī)模都與原水水質(zhì)有關(guān)。因此電子工廠潔凈廠房的超純水機(jī)系統(tǒng)的選擇應(yīng)根據(jù)原水水質(zhì)和電子產(chǎn)品生產(chǎn)工藝對(duì)水質(zhì)的要求，結(jié)合純水系統(tǒng)的產(chǎn)水量以及當(dāng)時(shí)、當(dāng)?shù)氐募兯O(shè)備、材料供應(yīng)等情況，綜合進(jìn)行技術(shù)經(jīng)濟(jì)比較確定。
在超大規(guī)模集成電路的超純水水質(zhì)中，優(yōu)先關(guān)注的水質(zhì)指標(biāo)為：電阻率、微粒、TOC(總有機(jī)硅)、硅、堿金屬、堿土金屬、重金屬、溶解氧等。
水溶液之所以導(dǎo)電，是因?yàn)樗懈鞣N溶解鹽都是以離子態(tài)存在的，在集成電路芯片制造過(guò)程中，與硅片接觸的水所含離子越多，對(duì)產(chǎn)品良率影響就越大。電阻率反映了超純水中離子的含量，超純水的電阻率越高，其純度也就越高。一般來(lái)講，在25℃時(shí)，理論純水的電阻率是18.24MΩ·cm。
微粒數(shù)也是衡量超純水純度的指標(biāo)。在集成電路光刻工序的清洗用水中如果含有不純物質(zhì)或微粒，將導(dǎo)致柵氧化膜厚度不均，產(chǎn)品圖形發(fā)生缺陷，耐壓性能變壞，一般以圖形尺寸的1/10為粒徑的評(píng)價(jià)對(duì)象。超純水中的微量有機(jī)物會(huì)影響柵氧化膜的絕緣耐壓性能，堿金屬、堿土金屬、重金屬則使產(chǎn)品結(jié)晶不良，柵氧化膜的絕緣耐壓性能變壞，而超純水中的溶解氧將促使硅片表面的氧化膜提前自然形成，有報(bào)道稱甚至溶在水中的氮?dú)庖矊?duì)清洗效果帶來(lái)影響。在超純水中，細(xì)菌的影響與TOC、微粒基本相同，主要是因?yàn)樵谙到y(tǒng)里的繁殖使它成為有機(jī)物和微粒的發(fā)源地。
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