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真空等離子體涂覆薄膜沉積設備
常規沉積涂覆工藝的缺點:
涂層厚度為毫米量級會影響電子產品的外觀及性能。
大量的化學品消耗,污染嚴重。
毛細效應,導致高密度器件表面無法實現涂層。
樣品處理前仍然需要進行復雜的清洗工藝以確保涂層黏附性。
涂覆有方向性,影響整體防護效果。
涂覆會影響樣品的射頻穿透性及產品的外觀。
真空等離子體涂覆薄膜沉積設備產品特點:
1.13.56MHz射頻電源與自動匹配系統,具備優異的穩定性與可重復性。
2.優化的氣體饋入與分布設計,提供優秀的處理均勻性。
3.可靈活設置的電極及電極的實時可控,滿足功能材料的大面積可控沉積。
4.精準安全的液態源供應系統,滿足不同功能材料的快速大面積沉積。
5.PLC提供穩定的過程控制,設備運行的實時參數通過顯示屏直觀呈現。
6.系統設置多級管理權限,集簡易的操作體驗與嚴謹的工藝管控與一體。
PMC參數:
最大涂覆面積:150mm*150mm
頻率:13.56MHz
功率:0-200W
物料容積:10-150ml
溫控范圍:加熱(室溫~200℃)保溫(室溫~200℃)
流量控制:轉子流量計
管路:最多4路氣體(同時可通入4種物質)
電源電壓:交流220V