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ICP干法刻蝕是一種常見的微納加工技術,其原理是利用高頻電場將氣體離子化,使其形成等離子體,然后將等離子體引入反應室中,利用反應室內的化學反應對材料進行腐蝕或沉積。 在ICP干法刻蝕中,高頻電場的作用是將氣體分子電離,形成電子和離子。離子在電場的作用下加速運動,并與反應室內的氣體分子發(fā)生碰撞,進而形成等離子體。等離子體具有高溫、高能量的特性,可以對材料進行高效率的加工。 ICP干法刻蝕的特點是能夠實現(xiàn)高精度、高速度和高均勻度的刻蝕,且對材料的損傷較小,常用于微電子器件制造、光學器件加工等域。但需要注意的是,在使用ICP干法刻蝕時,應選擇合適的氣體、功率和反應室溫度等參數(shù),以避免對材料造成負面影響。

ICP等離子刻蝕機WINETCH是面向科研及企業(yè)研發(fā)客戶使用需求設計的高性價比ICP等離子體系統(tǒng)。作為一個多功能系統(tǒng)，它通過優(yōu)化的系統(tǒng)設計與靈活的配置方案，獲得高性能ICP刻蝕工藝。該設備結構緊湊占地面積小，專業(yè)的機械設計與優(yōu)化的自動化操作軟件使該設備操作簡便、安全，且工藝穩(wěn)定重復性很好。

ICP等離子刻蝕機WINETCH產(chǎn)品特點：

● 4/6/8英寸兼容，單片晶圓真空傳輸系統(tǒng)

● 低成本高可靠，適合研發(fā)及小規(guī)模生產(chǎn)

● 設備結構簡單，外形小

● 操作簡便、便于自動控制、適合大面積基片刻蝕

● 優(yōu)異的刻蝕均勻性，刻蝕速率快

●滿足半導體標準的配方驅動及管理軟件控制系統(tǒng)

● 選擇比高、各向異性高、刻蝕損傷小

● 斷面輪廓可控性高，刻蝕表面平整光滑

技術參數(shù)：

晶圓尺寸：4/6/8英寸兼容

適用工藝：等離子體刻蝕

適用材料：SiC、Si、GaN、GaAs、InP、Ploy，etc.

適用領域：化合物半導體，MEMS、功率器件、科研等領域