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CCP等離子刻蝕機WINETCH是面向科研及企業研發客戶使用需求設計的高性價比CCP等離子體系統。作為一個多功能系統，它通過優化的系統設計與靈活的配置方案，獲得高性能CCP刻蝕工藝。該設備結構緊湊占地面積小，業的機械設計與優化的自動化操作軟件使該設備操作簡便、安全，且工藝穩定重復性佳。
CCP刻蝕是一種常用的微納加工技術，廣泛應用于半導體器件制造、光學器件制造，生物芯片制造等域。其原理是利用高頻交變電場產生等離子體，在等離子體的作用下將材料表面進行化學反應和物理碰撞，從而實現對材料的刻蝕。
CCP等離子刻蝕機WINETCH刻蝕系統通過電容耦合（CCP）方式產生高密度等離子體，按掩膜（例如光刻膠掩膜）圖形、實現對介質材料（例如氧化硅SiO2、氮化硅SiNx等）的選擇性刻蝕。
CCP系統主要由以下幾部分組成：反應腔室、下電 、噴淋頭（上電）、射頻電源、真空系統、預真空室、氣路系統、控制系統與軟件、配套附件等。
WINETCH等離子刻蝕機產品特點：
-刻蝕形貌好、工藝性能*
-高選擇比、高刻蝕速率
-低擁有成本和消耗成本
WINETCH等離子刻蝕機技術參數：
晶圓尺寸：6/8寸兼容
適用工藝：等離子體刻蝕
適用材料：SiO2，Si3N4，etc.
適用域:化合物半導體、MEMS、功率器件、科研等域
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