TEM小室其實就是一個變型的同軸線，在此同軸線中部，由一塊扁平的芯板作為內導體，外導體為方形，兩端呈錐形向通用的同軸器件過渡，一頭連接同軸線到測試接收機，另一頭連接匹配負載。TEM小室的外導體頂端有一個方形開口用于安裝測試電路板。其中，集成電路的一側安裝在小室內側，互連線和外圍電路的一側向外。這樣做使測到的輻射發射主要來源于被測的IC芯片。受測芯片產生的高頻電流在互連導線上流動，那些焊接引腳、封裝連線就充當了輻射發射天線。當測試頻率低于TEM小室的一階高次模頻率時，只有主模TEM模傳輸，此時TEM小室端口的測試電壓與騷擾源的發射大小有較好的定量關系，因此，可用此電壓值來評定集成電路芯片的輻射發射大小。
 

　　TEM小室的測量手段主要是由測試場地和測試儀器組成。常規的電磁兼容檢測方法有屏蔽室法、開闊場法、電波暗室法等。
 

　　屏蔽室：在EMC測試中，屏蔽室能提供環境電平低而恒定的電磁環境，它為測量精度的提高，測量的可靠性和重復性的改善帶來了較大的潛力。但是由于被測設備在屏蔽室中產生的干擾信號通過屏蔽室的六個面產生無規則的漫反射，特別是在輻射發射測量和輻射敏感度測量中表現更嚴重，導致在屏蔽室內形成駐波而產生較大的測量誤差。
 

　　電波暗室：通常所說的電波暗室在結構上大都由屏蔽室和吸波材料兩部分組成。在工程應用中又分全電波暗室和半電波暗室。全電波暗室可充當標準天線的校準場地，半電波暗室可作為EMC試驗場地。電波暗室的主要性能指標有“靜區”、“工作頻率范圍”等六個。但建造電波暗室的成本、難度均相當高，因為暗室的工作頻率的下限取決于暗室的寬度和吸收材料的長度、上限取決于暗室的長度和所充許的靜區的zui小截面積。且由于吸波材料的低頻特性等原因，總的測試誤差有時高達幾十分貝。