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   理論上和現(xiàn)實上都是肯定存在的。通常克制或削減它的做法有五種：1加大電源模塊感和輸出電源模塊容濾波根據(jù)開關電源模塊源的公式，電源模塊感內(nèi)電源模塊流波動大小和電源模塊感值成反比，輸出紋波和輸出電源模塊容值成反比。所以加大電源模塊感值和輸出電源模塊容值可以減小紋波。同樣，輸出紋波與輸出電源模塊容的關系：vripple=Imax/(Cof)?？梢钥闯觯哟筝敵鲭娫茨K容值可以減小紋波。通常的做法，對于輸出電源模塊容，使用鋁電源模塊解電源模塊容以達到大容量的目的。但是電源模塊解電源模塊容在克制高頻噪聲方面結果不是很好，而且ESR也比較大，所以會在它旁邊并聯(lián)一個陶瓷電源模塊容，來填補鋁電源模塊解電源模塊容。

        電流與服從數(shù)據(jù)20V40V60V80V0.01A11.70%17.30%19.00%17.10%0.075A48.00%55.80%57.50%57.80%0.15A62.30%68.8。細致數(shù)據(jù)如表-2和圖-10所示。表-3是全電壓范圍下的滿載服從和紋波電流數(shù)據(jù)?？梢钥闯黾y波電流的體現(xiàn)也很良好，峰-峰值小于2.5%，都在70mA以下。另外,ICL5101的THD和PF性能也很出色油漆鐵桶，細致數(shù)據(jù)分別如圖-11和圖-12所示。負載下，THD可低于5%。甚至在50%負載及277Vac條件下，THD小于10%，遠低于EN61000-3-2classC要求。半小時前上傳下載附件(39.34KB)后是短。

        從而實現(xiàn)快速的開關操作。Crss/Ciss比率是一個很是的參數(shù)，有助于防止米勒效應導致的任何非常導通，并可以更好地控制di/dt和dV/dt速率，配-漏二極管Qrr反向恢復電源模塊荷和反向恢復軟度，可明顯降低器件對EMI的度。為知足低耗散功率和電源模塊磁的要求，STL285N4F7AG了電源模塊容比值(Crss/Ciss)。圖2是STL285N4F7AG與競品的電源模塊容比值比較圖。圖2.STL285N4F7AG與競品的Crss/Ciss電源模塊容比測量值比較此外，圖3所示是意法半導體的STL285N4F7AG的體-漏二極管與競品的性能測量值比較圖。圖STL285N4F7AG與競品的體-漏二極管性能測量值比較測量參。