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產(chǎn)品型號(hào)Electrophysiology Module
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)代理商
所 在 地國(guó)外
更新時(shí)間:2022-04-11 07:35:45瀏覽次數(shù):294次
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直流電刺激細(xì)胞生長(zhǎng)系統(tǒng)價(jià)格
實(shí)驗(yàn)室直流電刺激細(xì)胞生長(zhǎng)系統(tǒng)
科研用直流電刺激細(xì)胞生長(zhǎng)系統(tǒng)
應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產(chǎn)業(yè),制藥,綜合 |
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細(xì)胞電生理應(yīng)力加載刺激系統(tǒng)
細(xì)胞電生理應(yīng)力加載刺激系統(tǒng)
高分辨率成像模塊
允許在整個(gè)拉伸過(guò)程中對(duì)細(xì)胞進(jìn)行光學(xué)成像,以驗(yàn)證組織應(yīng)變并檢測(cè)組織中形態(tài)變化。細(xì)胞在拉伸過(guò)程中保持在透鏡的焦平面內(nèi),即細(xì)胞可以在整個(gè)拉伸過(guò)程中用內(nèi)置的高速照相機(jī)成像。
★拉伸之前、期間和之后成像
★定制,細(xì)胞電生理力學(xué)模型系統(tǒng),易于使用的軟件可獨(dú)立測(cè)量組織應(yīng)變
★拉伸運(yùn)動(dòng)過(guò)程中的光學(xué)成像
★高幀率和分辨率,可以進(jìn)行熒光成像
★2MP分辨率下每秒高達(dá)2,000幀
★力學(xué)與成像模塊
★高幀率和分辨率
★可以偶聯(lián)電生理模塊以完善MEASSuRE系統(tǒng)
★多種相機(jī)可選
體外海馬切片損傷模擬設(shè)備
創(chuàng)傷性腦損傷(TBI)是蕞常見(jiàn)的頭部創(chuàng)傷形式之一,它仍然是導(dǎo)致死1亡和殘疾的主要原因。
----,初始的機(jī)械性軸索損傷會(huì)引發(fā)一系列復(fù)雜的神經(jīng)炎1癥和代謝事件,對(duì)這些事件的理解對(duì)臨床、轉(zhuǎn)化和藥理學(xué)研究至關(guān)重要。這些事件甚至在輕度創(chuàng)傷性休1克中也會(huì)發(fā)生,并與一些腦1震蕩后的表現(xiàn)有關(guān),細(xì)胞電生理特性力學(xué)系統(tǒng),包括對(duì)第二次損傷的暫時(shí)性高度脆弱。
蕞近的研究對(duì) '缺血是創(chuàng)傷后組織損傷的蕞終方式 '這一原則提出了挑戰(zhàn),因?yàn)樵谡9嘧⒌那闆r下和顱內(nèi)高壓之前,就會(huì)出現(xiàn)代謝功能紊亂。
為了闡明在TBI中發(fā)生的細(xì)胞和分子變化,作為神經(jīng)元損傷的直接結(jié)果,在沒(méi)有缺血損傷的情況下,我們使用體外海馬切片損傷模擬設(shè)備體外模型對(duì)不同嚴(yán)重程度的創(chuàng)傷進(jìn)行了表達(dá)基因和分子交互途徑的微陣列分析。將相當(dāng)于人類彌漫性軸突損傷的拉伸損傷傳遞給大鼠器1官型海馬切片培養(yǎng)物,在24小時(shí)內(nèi)將10%(輕度)和50%(重度)拉伸后的mRNA水平與對(duì)照組比較。
通過(guò)分析體外海馬切片損傷模擬設(shè)備數(shù)據(jù)顯示,即使在沒(méi)有細(xì)胞損傷的情況下,MTBI后的基因表達(dá)也有明顯的差異。路徑分析顯示,兩種程度的損傷中的分子相互作用是相似的,其中IL-1beta起著核1心作用。在50%的拉伸中發(fā)現(xiàn)了涉及RhoA(ras同源基因家族,成員A)的神經(jīng)變性的額外途徑。
可拉伸微電極陣列對(duì)電活動(dòng)的神經(jīng)傳感
在機(jī)械活躍的組織內(nèi)感應(yīng)神經(jīng)活動(dòng)會(huì)帶來(lái)特殊的障礙,細(xì)胞電生理機(jī)械刺激模型裝置,因?yàn)榇蠖鄶?shù)電極比生物組織要硬得多。隨著組織的變形,剛性電極可能會(huì)損壞周圍的組織。當(dāng)在由腦組織快速和大的形變引起的創(chuàng)傷性腦損傷 (TBI) 實(shí)驗(yàn)?zāi)P椭懈兄窠?jīng)活動(dòng)時(shí),該問(wèn)題會(huì)更加嚴(yán)重。
我們已經(jīng)開(kāi)發(fā)了一種可拉伸微電極陣列(SMEA),它可以承受大的彈性變形(>5%的雙軸應(yīng)變),細(xì)胞電生理,同時(shí)繼續(xù)發(fā)揮作用。可拉伸微電極陣列SMEA被用來(lái)記錄大腦切片培養(yǎng)的自發(fā)活動(dòng),以及通過(guò)SMEA電極刺激后的誘發(fā)活動(dòng)。
腦組織切片在SMEA上長(zhǎng)期培養(yǎng),然后通過(guò)拉伸SMEA和貼壁的培養(yǎng)物,用我們良好的體外損傷模型進(jìn)行機(jī)械損傷,這一點(diǎn)通過(guò)圖像分析得到證實(shí)。由于腦組織生長(zhǎng)在與基質(zhì)結(jié)合的SMEA上,由于SMEA與組織一起變形并在機(jī)械刺激中保持原位,因此損傷后的電生理功能變化與損傷前的功能是正常的。
我們的損傷模型和可拉伸微電極陣列SMEA的結(jié)合可以幫助闡明創(chuàng)傷后神經(jīng)元功能障礙的機(jī)制,以尋求TBI治1療方法。SMEA可能在其他機(jī)械活躍的組織中具有額外的傳感應(yīng)用,如周圍神經(jīng)和心臟相關(guān)研究。
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