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半導(dǎo)體曝光設(shè)備由光源、聚光透鏡、光掩模、投影透鏡和載物臺(tái)組成。從光源發(fā)出的紫外光通過(guò)聚光透鏡調(diào)整,使其指向同一方向。之后,紫外光穿過(guò)作為構(gòu)成電路圖案的一層的原型的光掩模,并通過(guò)投影透鏡減少光線,將半導(dǎo)體元件的電路圖案(的一層)轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體元件上。馬蘇。在諸如步進(jìn)機(jī)之類的曝光設(shè)備中,在完成一次轉(zhuǎn)移之后,通過(guò)平臺(tái)移動(dòng)硅晶片,并將相同的電路圖案轉(zhuǎn)移到硅晶片上的另一位置。通過(guò)更換光掩模,可以轉(zhuǎn)印半導(dǎo)體器件的另一層電路圖案。
所使用的光源包括波長(zhǎng)為248 nm的KrF準(zhǔn)分子激光器、波長(zhǎng)為193 nm的ArF準(zhǔn)分子激光器以及波長(zhǎng)為13 nm的EUV光源。
最新半導(dǎo)體制造工藝的設(shè)計(jì)規(guī)則(最小加工尺寸)越來(lái)越細(xì)化至3至5納米左右,因此聚光透鏡、光掩模、投影透鏡和平臺(tái)都需要納米級(jí)的高精度。此外,隨著層壓的進(jìn)行,進(jìn)行多次曝光以改變電路圖案并形成單個(gè)半導(dǎo)體。