對于許多材料，想觀察其內部結構就需要使用到透射電子顯微鏡，但由于透射電鏡對樣品厚度的限制，絕大部分的材料樣品都不能直接放到透射電鏡進行觀察拍攝。因此樣品在進行透射電鏡拍攝前需要進行前處理，使其變薄至200 nm以下，目前常用的方法有凹坑法、化學腐蝕法、超薄切片法和離子減薄法。

不同的方法適用于不同的樣品，凹坑法和化學腐蝕法會在不同程度上對樣品有著破壞的弊端，超薄切片在一些脆性材料面前就顯得不那么適用，并且在經濟上也價格更加高昂，而離子減薄法基本能適用于各類樣品且操作便捷，離子減薄過后的樣品可以直接上透射電鏡進行觀察拍攝。

鼎竑GU-AI9000離子減薄儀有著它的優勢，首先它具有無磁聚集離子源，不會使磁性碎屑吸附在樣品表面，離子束斑大、離子槍易維護。并且雙離子源可獨立控制，能量范圍廣，適合各類樣品，同時具備高能量(快速制樣)和低能量(精細修復)的功能。其次它的減薄功能十分強大，同時具有快速、薄區大和自動終止等特點。并且它的真空及制冷系統也在同類設備中有優勢，使用了內置雙泵（浦發隔膜泵和萊寶渦輪分子泵），不占用多余空間，同時具有半導體冷臺制冷，無需液氮也可到達-30℃。

硅片在電子電器行業使用廣泛，但硅片屬于脆性樣品，使用其他方法較難制樣，使用GU-AI9000離子減薄儀可有效快速減薄樣品。

這類硬質合金在汽車、航空等領域應用廣泛，但它具有強度大、硬度高等特點不易制樣，在減薄過程中既要快速又要保持減薄薄區可觀察，使用GU-AI9000離子減薄儀可以解決這類樣品制備問題。

這類樣品屬于較易制備樣品，在各類行業都應用廣泛。

鋁合金在電器等行業應用廣泛，且這類樣品較易制備。

鋁合金明暗場位錯圖像

鼎竑GU-AI9000具有無磁聚集離子源、破孔自動終止等技術優勢，可滿足電鏡制樣前處理需求，是專為上透射電鏡的材料樣品進行處理的離子減薄儀。