手機(jī)版
化工儀器網(wǎng)手機(jī)版
化工儀器網(wǎng)小程序
官方微信
公眾號(hào)：chem17
掃碼關(guān)注視頻號(hào)
??霍爾遷移率（Hall mobility）是指?Hall系數(shù)RH與電導(dǎo)率?σ的乘積，即│RH│σ，具有遷移率的量綱，故特別稱(chēng)為霍爾遷移率。? 表示為μH =│RH│σ。?12
霍爾遷移率μH實(shí)際上不一定等于載流子的電導(dǎo)遷移率μ，因?yàn)檩d流子的速度分布會(huì)影響到電導(dǎo)遷移率，所以只有在簡(jiǎn)單情況（不考慮速度分布）下才有μH = μ。
霍爾遷移率是測(cè)試射頻氮化鎵芯片使用。“碳化硅的電子遷移率是900，碳化硅MOSFET的溝道遷移率是50，體遷移率是1000” 看到這樣的介紹，或許你非常疑惑，為什么同一種材料中有這么多的遷移率？我們?cè)诼?tīng)講座或者看相關(guān)文獻(xiàn)的時(shí)候，也經(jīng)常會(huì)遇到不同的遷移率：霍爾遷移率，漂移遷移率，溝道遷移率，體遷移率等等。這里，就讓我來(lái)為大家具體分析一下這些不同的遷移率。大體上來(lái)說(shuō)，遷移率的概念可以分為三種：1. 最基礎(chǔ)的遷移率定義（microscopic mobility）; 2. 體材料里的遷移率（根據(jù)不同的測(cè)試方法得出不同的遷移率名稱(chēng)）； 3. 晶體管中的遷移率。
相關(guān)產(chǎn)品
免責(zé)聲明
- 凡本網(wǎng)注明“來(lái)源：化工儀器網(wǎng)”的所有作品，均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品，未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的，應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用，并注明“來(lái)源：化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者，本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來(lái)源（非化工儀器網(wǎng)）的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé)，不承擔(dān)此類(lèi)作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí)，必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來(lái)源，并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
- 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問(wèn)題，請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
采購(gòu)中心