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我們研究嵌入在光子晶體光腔中、導(dǎo)致發(fā)射增強(賽爾效應(yīng))的量子點的光學(xué)性質(zhì)(圖 1a),或者基于嵌入在波導(dǎo)中、用于生產(chǎn)光子多路復(fù)用器件的量子點的光學(xué)性質(zhì)(圖 1b)。
典型器件是由多層砷化鎵/Al0.7Ga0.3砷化鎵外延生長的堆棧制造而成的,其中頂層 250 nm 厚的砷化鎵層包含器件的有源部分,1µm厚的Al0.7Ga0.3 為犧牲層,最終會被蝕刻掉,以產(chǎn)生浮膜器件。
膜在特定位置包含一個或幾個 20 nm 的 In0.3Ga0.7 量子點,以及與量子點精確對準的蝕刻光子晶體結(jié)構(gòu)(100 nm 孔的大陣列,特定配置會缺少幾個孔)。
這些器件在不同處理步驟中要求 1-20 nm 精度,因此它們都涉及高性能電子束蝕刻。為承受砷化鎵的濕法或等離子體 (ICP) 蝕刻,我們必須使用硬二氧化硅掩模,并通過干法蝕刻 (RIE) 將光刻圖案轉(zhuǎn)移到該二氧化硅掩模上。這種轉(zhuǎn)移的精確度取決于是否知道掩模層的精確厚度。
由于二氧化硅層的厚度為 40-80 nm,因此在此測量中我們需要達到 1 nm 的精度。這項研究的目的是獲得用作硬掩模的二氧化硅 (SiO2) 薄膜厚度 (40-80 nm) 的高精度 (1 nm) 測量值。
圖 1.a) 嵌入耦合 L3PhC 腔中的量子點(暗點)網(wǎng)絡(luò)的 SEM 圖像;b) 光子晶體的 SEM 圖像,頂部帶有一個輸出耦合器,并包含六個量子點(用紅色三角形表示)。
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到目前為止,每天只能使用觸針式輪廓儀來測量二氧化硅掩模的厚度,并且此測量是在另一家實驗室中在使用校準標準和 Sopra GES 5E 光譜橢偏儀進行全局校準之后進行的。
但是,輪廓測量法需要在二氧化硅層中濕法蝕刻“臺階”,相當(dāng)耗時,并且在處理完整晶片時并不實用。此外,輪廓測量法中的典型噪聲為 5 nm RMS,因此需要大量平均才能獲得所需的 1 nm 精確度(圖 2a) 。
圖 2.a) 觸針式輪廓儀在二氧化硅薄膜中的臺階軌跡;b) 同一薄膜的反射光譜,模型擬合顯示厚度 (84±1 nm)
我們以裸露的砷化鎵基板為參考,首先使用內(nèi)置的單層模型測量位于砷化鎵之上的二氧化硅層的反射光譜。如圖 2b 所示,得到的反射率光譜非常平坦,沒有顯示出較厚 (d>λ) 膜所特*的振蕩。盡管如此,模型擬合效果仍然非常好,膜厚度 (84 nm) 的精確度為1 nm。
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在圖 3 顯示了相同類型的測量,即測量了 38 nm 的膜。 在砷化鎵膜結(jié)構(gòu)的例子下,砷化鎵基板上有 3 層(二氧化硅/砷化鎵/GaAs/Al0.7Ga0.3As)結(jié)構(gòu)。在這個例子中,我們?nèi)詫⑸榛壸鳛閰⒖?,以便將這個完整的結(jié)構(gòu)輸入到模型中。
圖 3. 二氧化硅薄膜的反射光譜,模型擬合顯示厚度 (38±1 nm)
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在第一項測試中,我們測量不含二氧化硅的裸露半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)的反射率。測得的光譜(圖4a)顯示出具有良好的擬合度,產(chǎn)生了正確的(通過 X 射線衍射驗證)砷化鎵和 Al0.7Ga0.3As 層厚度,以及模型頂部二氧化硅層的零厚度。這一次,反射率曲線顯示出典型的振蕩,通常出現(xiàn)在較厚的 (d>λ) 層中。
在驗證裸露半導(dǎo)體后,我們測量了另一個樣品,該樣品涂覆有二氧化硅(圖 4b)。測得的光譜擬合不僅顯示了半導(dǎo)體層的厚度,而且還顯示了正確的二氧化硅層的厚度 (79 nm)。
在最后一項測試中,我們嘗試測量涂覆有二氧化硅和 PMMA 層的樣品(圖 4c)。這一次,頻譜顯示出更復(fù)雜的振蕩,并且模型擬合不如以前好。盡管如此,擬合值仍然正確,證明了該方法的功能和速度。
圖4. a) 砷化鎵/Al0.7Ga0.3As/砷化鎵樣品的反射光譜,模型擬合顯示半導(dǎo)體厚度(255 和 994 nm)。擬合顯示頂部沒有二氧化硅層;b) 涂覆有二氧化硅的砷化鎵/Al0.7Ga0.3As/砷化鎵樣品的反射光譜,模型擬合顯示半導(dǎo)體厚度(269 和 953 nm)和二氧化硅層厚度 (79 nm);c) 涂覆有二氧化硅和 PMMA 的砷化鎵/Al0.7Ga0.3As/砷化鎵樣品的反射光譜,模型擬合顯示半導(dǎo)體厚度(255 和 1022 nm)以及二氧化硅層厚度 (276 nm) 和 PMMA 層厚度 (1044 nm)。
我們使用觸針式輪廓儀和 Sopra GES 5E 光譜橢偏儀以及商業(yè)校準標準品(硅上涂的二氧化硅層,Micromasch 提供)作為對照 ,檢查了使用此方法獲得的值,發(fā)現(xiàn) Sensofar 系統(tǒng)的精確度為 1 nm,符合我們的要求。
為了處理復(fù)雜的光子納米結(jié)構(gòu)器件,我們需要對沉積在砷化鎵或多層半導(dǎo)體頂部的二氧化硅薄層(通常 <100 nm)進行高精確度 (1 nm) 的快速厚度測量。Sensofar 的 S neox 3D 光學(xué)輪廓儀提供的反射光譜是解決此需求的理想工具,可提供我們需要的高精確度、高測量速度和易用性。
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S neox產(chǎn)品簡介:
全新設(shè)計的三維共聚焦干涉顯微鏡S neox屬于多功能非接觸式3D光學(xué)輪廓儀,*覆傳統(tǒng),將共聚焦技術(shù)、白光干涉和多焦面疊加等3種三維測量技術(shù)融于一身。
測量頭內(nèi)無運動部件,極大拓展了3D測量的范圍,拓寬了3D輪廓儀的應(yīng)用范圍。新型的三維共聚焦干涉顯微鏡S neox能夠測量不同的材質(zhì)、結(jié)構(gòu)、表面粗糙度和波度,幾乎涵蓋所有類型的表面形貌。它的多功能性能夠滿足*端三維形貌測量儀廣泛的應(yīng)用。配合SensoSCAN軟件系統(tǒng),用戶將獲得難以置信的直觀操作體驗。
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