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DA20 C/D-丹麥Risø DA20 C/D熱釋光考古測定系統(tǒng)
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  • DA20 C/D-丹麥Risø DA20 C/D熱釋光考古測定系統(tǒng)

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貨物所在地: 北京北京市
更新時間: 2024-10-13 21:00:28
期: 2024年10月13日--2025年4月13日
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產(chǎn)品簡介

丹麥Risø DA20 C/D熱釋光/光釋光考古和地質(zhì)年代測定系統(tǒng)是Risø國家實(shí)驗(yàn)室設(shè)計(jì)生產(chǎn)的,是一代的熒光讀出系統(tǒng),即能測量熱釋光又能測量光釋光。

詳細(xì)介紹

丹麥Risø DA20 C/D熱釋光/光釋光考古和地質(zhì)年代測定系統(tǒng)是Risø國家實(shí)驗(yàn)室設(shè)計(jì)生產(chǎn)的,是一代的熒光讀出系統(tǒng),即能測量熱釋光又能測量光釋光。Risø DA20 C/D熱釋光/光釋光考古和地質(zhì)年代測定系統(tǒng)包括:光探測系統(tǒng)、熱釋光系統(tǒng)、光釋光系統(tǒng),輻照系統(tǒng)等子系統(tǒng)組成。
(1)特點(diǎn)
全自動可編程電腦控制;
同時測量48個樣品;
加熱溫度可在室溫-700℃之間調(diào)節(jié);
可進(jìn)行樣品的紅外釋光(IRSL)、藍(lán)光釋光(BLSL)和熱釋光(TL)測量;
光激發(fā)有線性調(diào)制OSL模式和脈沖OSL模式;
單個樣品可被α和β放射源(90Sr/90Y和 241Am)或小型的X-射線發(fā)生器照射。
(2)光探測系統(tǒng)
光探測系統(tǒng)測量發(fā)出的熒光,光探測系統(tǒng)包括一個光電倍增管和相配的濾光片。樣品室  可編程,進(jìn)行熱釋光測量時可抽真空,計(jì)算機(jī)控制氮?dú)廨斎?,使加熱后的樣品能快速冷卻。
標(biāo)準(zhǔn)的Risø讀出器有配套的濾光片:
75mm Hoya U-340
2mm Schott BG 39
4mm Corning 7-59
(3)熱釋光系統(tǒng)
利用位于PMT下的加熱元件就可進(jìn)行熱激發(fā)。加熱元件有兩個功能:1)加熱樣品 2)把樣品提升到測量位置。
樣品加熱到700°C,升溫速率可在0.1-10 K/s.之間選擇。氮?dú)饬骼鋮s電熱絲,防止加熱系統(tǒng)在高溫情況下被氧化。
(4)光釋光系統(tǒng)
使用發(fā)光二極管陣列進(jìn)行光激發(fā),包括CW和LM-OSL激發(fā)。發(fā)光二極管陣列配有光反饋服務(wù)系統(tǒng)來確保激發(fā)功率的穩(wěn)定。二極管和樣品之間的距離大約為20mm。標(biāo)準(zhǔn)Risø TL/OSL讀出器裝有兩個光激發(fā)源:
紅外光源(波長870nm)zui高激發(fā)能量可達(dá)140mW/cm2或者更高,并能在zui大值的0-*之間任意調(diào)整;
藍(lán)光光源(波長470nm)zui高激發(fā)能量不小于50mW/cm2。
(5)輻照系統(tǒng)
系統(tǒng)有三種輻照方式:β,α和X射線輻照。用軟件來控制輻射類型,并允許單個輻射。
β輻射
Beta輻照器可拆分開,通常配有1.48 GBq (40 mCi) 90Sr/90Y β源,能發(fā)射zui大能量為2.27Mev的β粒子。在樣品位置的石英劑量率大約為0.1 Gy/s。源和樣品之間的距離為5mm,在輻照器和測量室之間有一個0.125mm的鈹窗,并充當(dāng)一個真空接口。
α輻射
α輻照器通常都配有一個10.7 MBq (290 mCi) 241Am源,是一個混合α/γ輻射體。α能量為5.49 MeV (85.1%),主要的γ能量為59keV。源通過氣驅(qū)動快門控制。在樣品位置的石英劑量率大約為45 mGy/s. γ輻照器和系統(tǒng)蓋和密封軸結(jié)合在儀器阻止在X射線輸出穩(wěn)定之前樣品輻射。
X射線輻射
X射線燈絲型輻照器的的X射線:Varian VF-50J X-γ射線管 (50 kV, 1 mA, 50 W).動態(tài)劑量率范圍(50mm Al過濾):當(dāng)安裝在標(biāo)準(zhǔn)的OSL/TL讀出器上時,10 mGy/s - 2 Gy/s。
(6)應(yīng)用領(lǐng)域
考古和地質(zhì)年代測定;
已發(fā)事故劑量測量;
輻射食品檢測;
熒光研究。
(7)技術(shù)參數(shù)
TL:可從室溫加熱到700℃,升溫率可在0.1 K/s -10 K/s之間編程調(diào)節(jié)。恒溫TL可在任何固定溫度下操作。
OSL:
藍(lán)色LED(波長470nm)激發(fā):50 mW/cm2;
紅外LED(波長870nm)激發(fā):145 mW/cm2;
可在任何溫度下調(diào)控。
輻射源選擇:
β(90Sr/90Y)陶瓷源 (1.48 GBq)劑量率(石英): 0.1 Gy/s;
α(241Am)源(10.7 MBq)劑量率(石英):45 mGy/s;
X射線發(fā)生器(50 kV, 1 mA)動態(tài)劑量率(石英):10 mGy/s-2 Gy/s。
單顆粒OSL:
聚焦綠色激光激發(fā)(532nm):50 W/cm2;
可選擇:IR激光激發(fā) (830 nm):~ 500 W/cm2;
電源: 100-240 V 50/60 Hz (120 W)。

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