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介電常數介質損耗測定儀(介電性能測試儀)
參考價 | ¥18000-¥110000 | /件 |
具體成交價以合同協議為準
- 型號
-
品牌
AIRTIMES/中航時代
-
廠商性質
生產商
-
所在地
北京市
更新時間:2024-08-21 13:43:48瀏覽次數:6070
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產品簡介
產地類別 | 國產 | 價格區間 | 5萬-10萬 |
---|---|---|---|
應用領域 | 化工,石油,航天,汽車,電氣 |
一、符合標準:
GB/T1409測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長存內)下電容率和介質損耗因數的推薦方法;
GB/T 5654-2007液體絕緣材料相對電容率、介質損耗因數和直流電阻率的測量;
二、產品概述:
ZJD-87介電常數介質損耗測定儀(介電性能測試儀)是一款專為實驗室研制的高精度高壓電橋,突破了傳統的電橋測量方式,采用變頻電源技術,利用單片機和現代化電子技術進行自動頻率變換、模/數轉換和數據運算;達到抗干擾能力強、測試速度快、精度高、全自動數字化、操作簡便;廣泛適用于電力行業中變壓器、互感器、套管、電容器、避雷器等設備及相關絕緣材料的介損和介電常數的測量。
三、技術指標:
準確度:Cx:±(讀數×0.5%+0.5pF);
tgδ:±(讀數×0.5%+0.00005);ε:0.5%;
抗干擾指標:變頻抗干擾(40-70Hz),最大輸入電流5A;
內置最高10KV測試電壓輸出,可調分辨率1V;
電容量范圍:內施高壓:3pF~60000pF/10kV;60pF~1μF/0.5kV;
外施高壓:3pF~1.5μF/10kV;60pF~30μF/0.5kV;
外接量程擴展器時可以測試幾千安培下高壓電器的介損值;
分辨率:最高0.001pF,4位有效數字;
計算機接口:標準RS232接口;
外形尺寸:8U標準機箱;
儀器重量:25kg;
離子位移極化—— Ionic Polarization
電介質中的正負離子在電場作用下發生可逆的彈性位移。 正離子沿電場方向 移動,負離子沿反電場方向移動。由此形成的極化稱為 離子位移極化。
離子在電場作用下偏移平衡位置的移動相當于形成一個感生偶極矩。
離子位移極化所需時間大約為10-12~10-13秒 。不以熱的形式耗散能量,不導致介電損耗。
介電常數介質損耗測定儀(介電性能測試儀)
•損耗的形式
•介質損耗的表示方法
•介質損耗和頻率、溫度的關系
•無機介質的損耗
介質損耗定義:
電介質在單位時間內消耗的能量稱為電介質損耗功率,簡稱電介質損耗?;颍弘妶鲎饔孟碌哪芰繐p耗,由電能轉變為其它形式的能,如熱能、光能等,統稱為介質損耗。它是導致電介質發生熱擊穿的根源。
損耗的形式:
電導損耗:在電場作用下,介質中會有泄漏電流流過,引起電導損耗。 實質是相當于交流、直流電流流過電阻做功,故在這兩種 條件下都有電導損耗。絕緣好時,液、固電介質在工作電 壓下的電導損耗是很小的,
極化損耗:只有緩慢極化過程才會引起能量損耗,如偶極子 的極化損耗。
游離損耗:氣體間隙中的電暈損耗和液、固絕緣體中局部放 電引起的功率損耗稱為游離損耗。
介質損耗的表示:
當容量為C0=?0S/d的平板電容器上 加一交變電壓U=U0eiwt。則:
1、電容器極板間為真空介質時, 電容上的電流為:
2、電容器極板間為非極性絕緣材料時,電容上的電流為:
3、電容器極板間為弱導電性或極性,電容上的電流為:
G是由自由電荷產生的純電導,G=?S/d, C=?S/d
如果電荷的運動是自由的, 則G實際上與外電壓額率無關;如果這些電荷是被 符號相反的電荷所束縛, 如振動偶極子的情況,G 為頻率的函數。
介質弛豫和德拜方程:
1)介質弛豫:在外電場施加或移去后,系統逐漸達到平衡狀 態的過程叫介質弛豫。 介質在交變電場中通常發生弛豫現象,極化的弛豫。在介質上加一電場,由于極化過程不是瞬時的,極化包括兩項:
P(t) = P0 + P1(t)
P0代表瞬時建立的極化(位移極化), P1代表松弛極化P1(t)漸漸達到一穩定值。這一滯后 通常是由偶極子極化和空間電荷極 化所致。 當時間足夠長時, P1(t)→ P 1 ∞ , 而總極化P(t) → P∞ 。 2)德拜(Debye)方程:
頻率對在電介質中不同的馳豫現象有關鍵性的影響。 設低頻或靜態時的相對介電常數為ε(0),稱為靜態相對介電常數;當頻率ω→∞時,相對介電常數εr’ →ε∞( ε∞代表光頻 相對介電常數)。則復介電常數為:
影響介質損耗的因素:
1、頻率的影響
ω→0時,此時不存在極化損 耗,主要由電導損耗引起。 tgδ=δ/ωε,則當ω→0時, tgδ→∞。隨著ω升高,tgδ↓。
隨ω↑,松弛極化在某一頻率開始跟不上外電場的變化, 松弛極化對介電常數的貢獻 逐漸減小,因而εr隨ω↑而↓。 在這一頻率范圍內,由于ωτ <<1,故tgδ隨ω↑而↑。
當ω很高時,εr→ε∞,介電常數僅 由位移極化決定,εr趨于最小值。 由于ωτ >>1,此時tgδ隨ω↑而↓。 ω→∞時,tgδ→0。
tgδ達最大值時ωm的值由下式求出:
tgδ的最大值主要由松弛過程決定。如果介質電導顯著變大,則tgδ的最大值變得平坦, 最后在很大的電導下,tgδ無最大值,主要表現為電導損耗特征:tgδ與ω成反。
2、溫度的影響
當溫度很低時,τ較大,由德拜關系式可知,εr較小,tgδ也較小。此時,由于ω2τ2>>1,由德拜可得:
隨溫度↑,τ↓,所以εr、tgδ↑
當溫度較高時,τ較小,此時ω2τ2<<1
隨溫度↑,τ↓,所以tgδ ↓。這時電導上升并不明顯,主要決定于極化過程:
當溫度繼續升高,達到很大值時, 離子熱運動能量很大,離子在電場作用下的定向遷移受到熱運動的阻礙,因而極化減弱,εr↓。此時電導損耗劇烈↑,tgδ也隨溫度 ↑而急劇上升↑。
3.濕度的影響
• 介質吸潮后,介電常數會增加,但比電導的增加要慢,由于電導損耗增大以及松馳極化損耗增加,而使tgδ增大。
• 對于極性電介質或多孔材料來說,這種影響特別突出,如,紙內水分含量從4%增加到10%時,其tgδ可增加100倍。
降低材料的介質損耗的方法
(1)選擇合適的主晶相:盡量選擇結構緊密的晶體作為主晶相。
(2)改善主晶相性能時,盡量避免產生缺位固溶體或填隙固溶體,最好形成連續固溶體。這樣弱聯系離子少,可避免損耗顯著增大。
(3)盡量減少玻璃相。有較多玻璃相時,應采用“中和效應"和“壓抑效應",以降低玻璃相的損耗。 (4)防止產生多晶轉變,多晶轉變時晶格缺陷多,電性能下降,損耗增加。
(5)注意焙燒氣氛。含鈦陶瓷不宜在還原氣氛中焙燒。燒成過程中升溫速度要合適,防止產品急冷急熱。
(6)控制好最終燒結溫度,使產品“正燒",防止“生燒"和“過燒"以減少氣孔率。此外,在工藝過程中應防止雜質的混入,坯體要致密。
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