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TOF-SIMS在聚合物薄膜和涂層的光譜分析2024/10/10

飛行時間二次離子質譜（TimeofFlightSecondaryIonMassSpectrometry，TOF-SIMS）是通過高能量的一次離子束轟擊樣品表面，使樣品表面的原子或原子團吸收能量而從表面...

二次離子質譜儀不同質量分析器的區別2024/9/13

二次離子質譜法是一種高效的分析技術，利用化合物的離子化過程及其質量分析，以確定待測化合物的分子量、分子式和結構特征。質譜儀作為該方法的重要組成部分，通過將離子的質量進行有效分離，并依據電荷與質量比率輸...

TOF-SIMS飛行時間二次離子質譜儀離子源的選擇2024/8/29

TOF-SIMS（TimeofFlightSecondaryIonMassSpectrometry）飛行時間二次離子質譜儀的基本組件包括一次離子束，和用于樣品深度剖析的離子束。主離子束被脈沖化以供飛行...

使用TOF-SIMS進行材料研究2024/8/13

靜態SIMS是一種非常靈敏的表面分析技術，能在只消耗樣品單層一小部分的情況下，獲得詳細的質譜圖。被分析的分子來自固體表面前幾層，這對于探討材料關鍵區域例如附著力或催化等性質至關重要。Kore公司的TO...

TOF-SIMS飛行時間二次離子質譜的技術能力2024/8/6

飛行時間二次離子質譜（TOF-SIMS）是一種表面分析技術，它將脈沖一次離子束聚焦到樣品表面，在濺射過程中產生二次離子。分析這些二次離子可提供有關樣品表面的分子、無機和元素種類的信息。例如，如果表面吸...

TOF-SIMS飛行時間二次離子質譜儀-技術解讀2024/8/1

什么是TOFSIMS?它可以應用于哪些領域？能提供哪些信息？哪些樣品適用（哪些不適用）？在這一系列文章中，我們將解答所有這些問題，以及更多探討。飛行時間二次離子質譜法（ToFSIMS）是一種用于研究固...

揭秘遠程微波PECVD系統簡介2022/8/31

Nano-Master的遠程微波等離子體化學氣相沉積（PECVD）系統應用范圍廣泛，包含：基片或粉體的等離子誘導表面改性等離子清洗粉體或顆粒表面等離子聚合SiO2,Si3N4或DLC及其他薄膜CNT和...

揭秘微波等離子去膠機2022/8/23

主要用途：MEMS壓力傳感器加工工藝中光刻膠批量處理；去除有機或無機物，而無殘留；去膠渣、深刻蝕應用；半導體晶圓制造中光刻膠及SU8工藝；平板顯示生產中等離子體預處理；太陽能電池生產中邊緣絕緣和制絨；...

帶你一文領略磁控濺射2022/6/22

主要功能：主要用于半導體應用，及各種需要進行微納工藝濺射鍍膜的情形。可以用于金屬材料（金、銀、銅、鎳、鉻等）的直流濺射、直流共濺射，絕緣材料（如陶瓷等）的射頻濺射，以及反應濺射能力。基片可支持硅片，氧...

我們的優勢｜離子束刻蝕2020/6/16

我們的優勢｜離子束刻蝕NANO-MASTER的離子束刻蝕系統有很強的適應性，可以根據不同的應用建立不同的結構，不同的樣品臺和離子源配置可實現不同的應用范圍。系統中的樣品臺可實現正負90°傾斜、旋轉、水...

我們的優勢｜NLD4000型原子層沉積2020/6/12

NANO-MASTERNLD-4000型等離子增強原子層沉積系統可以提供高品質的薄膜沉積，通過配套ICP離子源系統可以支持PEALD和T-ALD等廣泛應用。眾多的優勢配置，使得NLD-4000型系統具...

我們的優勢｜NRE-4000型RIE-HCP系統2019/12/11

我們的優勢｜NRE-4000型RIE-HCP系統NANO-MASTERNRE-4000型RIE-HCP系統，用于高速刻蝕硅、SiO2和Si3N4基片，通過配套HCP高密度中空陰極等離子源，系統可以支持...

我們的優勢｜磁控濺射2019/8/26

NANO-MASTER設計制造的磁控濺射系統在行業內有*的競爭力，設備擁有以下突出的優勢：1.計算機全自動控制的自動上下片，上面和對準的過程全部通過計算機控制，無需人工操作，并且不會損傷系統；2.全自...

淋浴頭氣流的平面ICP離子源應用于ALD系統2017/9/14

繼NANO-MASTER*技術的帶淋浴頭氣流分布的平面ICP離子源應用于NANO-MASTER的刻蝕系統，ICPECVD沉積系統，PA-MOCVD生長系統之后，該ICP離子源順利應用于ALD系統。由于...

進口雙模式刻蝕機的主要特點2016/3/29

進口雙模式刻蝕機全自動上下載片，帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺的深硅刻蝕系統，帶8"ICP源。系統可以配套500L/S抽速的渦輪分子泵，可以使得工藝壓力達到幾mTorr的水平。在低溫刻蝕的技術下，系統可...